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标题:
一个自偏置启动的问题
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作者:
gdjack
时间:
2013-1-3 18:52
标题:
一个自偏置启动的问题
做了个1uA自偏置,启动时间竟然有700us,太长了,是不是电流太小的原因?还是管子尺寸问题,有木有大侠帮忙看下。。。
上图了:
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作者:
semico_ljj
时间:
2013-1-3 21:30
你的上电时间是多久?把电源线也显示出来看看呢?
作者:
mhleu
时间:
2013-1-4 10:07
你的電路就是如圖所示,沒有啟動(start-up)電路?
作者:
wind2000sp3
时间:
2013-1-4 10:28
就是啊,根本没有启动电路啊。
作者:
semico_ljj
时间:
2013-1-4 10:46
没有启动电路,仿真的情况下,一般还是能通过的
作者:
bsaqycx
时间:
2013-1-4 11:26
没有启动电路,要么能起,要么不能起,不会等这么长时间再起吧~~对LZ的power波形很期待!
作者:
flyawayfc
时间:
2013-1-4 12:01
其实这是个经典的正反馈电路。
作者:
xiaopp
时间:
2013-1-4 12:27
把电源波形贴上把
作者:
lishiliang
时间:
2013-1-4 15:01
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1#
gdjack
可以参考 Jocob的模拟电路设计 仿真与布局第二卷里有自启动电路的设计
作者:
gdjack
时间:
2013-1-4 15:54
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2#
semico_ljj
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作者:
gdjack
时间:
2013-1-4 15:55
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3#
mhleu
仿真时设置初始电位不是一样吗?
作者:
gdjack
时间:
2013-1-4 15:56
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6#
bsaqycx
给了个初始电位也就相当于启动电路,不是吗?
作者:
semico_ljj
时间:
2013-1-4 16:36
你的vdd上升沿好抖?1uS都不到吧
作者:
selfsalvation04
时间:
2013-1-4 22:40
还是不太明白,大家继续讨论
作者:
plz762127
时间:
2013-1-5 00:43
左边节点的电容远大于右边节点,因此电源从0上升到1.8V时,VG4增长远慢于VD5增加,M2,M3始终截止;电源电压稳定后,只有漏电流和亚阈值电流对左边节点充电,直到接近Vth时,M4导通,700多U差不多对应几pa的泄漏电流,所以需要启动电路加快启动
作者:
semico_ljj
时间:
2013-1-5 10:24
可以吧Vg2,Vg4节点显示出来看看,是否如此
作者:
mhleu
时间:
2013-1-5 11:16
跑直流分析可不加啟動電路,暫態分析要加上啟動電路才能穩定進入設定的操作區間.
作者:
gdjack
时间:
2013-1-5 11:44
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15#
plz762127
寄生电容太大导致启动时间过长是对的
只是我仿真瞬态时,为了模拟启动电路,已经在节点Vd2处加了初始电位0V,我看一些文献中启动电路的作用就是将Vd2拉低。
这样加初始电位替代启动电路的仿真方法不行吗?
作者:
szyacj
时间:
2013-1-5 13:50
1.测试电路是否能正常启动不是在vg2处加0电压,而是电源电压;同样,vg4处应该加0电压。如果不行要加启动电路,当然为了安全都要设计启动电路,也就是两个diode。
2.你给vg2了0电压相当于手动给了一个启动电压,但是没有给vg4电源电压可能是启动慢的原因,你可以同时给这两个电压试试
作者:
semico_ljj
时间:
2013-1-5 15:03
可以什么都不加试一试,多数情况都能正常启动
作者:
plz762127
时间:
2013-1-5 17:01
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18#
gdjack
加起动电路实际是给一个电荷泄放通路,你把右边设为零,t>0后还是右边充电比左边快啊,除非给左边节点设个比较大的电压。再说你设初始为零和电源由0阶跃到1.8的电路的初始状态不是一样么
作者:
gdjack
时间:
2013-1-5 21:41
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21#
plz762127
此楼正解!加启动电路后的仿真图与没加的对比
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瞬态的其实仿真就是基于各点零电位,加了附加零电位等于没加一样!
作者:
gdjack
时间:
2013-1-5 21:43
再次,谢谢大家的帮助!!!
作者:
gdjack
时间:
2013-1-5 21:43
再次,谢谢大家的帮助!!!
作者:
selfsalvation04
时间:
2013-1-6 03:20
好好想想,多谢大家讨论
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