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标题: 后端面试--每日一题（067） [打印本页]

作者: 陈涛 时间: 2011-11-25 08:36
标题: 后端面试--每日一题（067）
问题由szp9912收集提供，特此感谢！

What is meant of 9 track, 12 track standard cells?

对标准单元所说的9 track和12 track是什么意思？（同一种工艺下）这两种单元有什么区别？

难度：3

作者: hujs 时间: 2011-11-25 09:05
哪位大侠能具体讲下9track 和12track具体到stdcell中的电路是那块的差异？
目前我知道的就是9track与12track相比，速度慢些面积小些，功耗应该也会小些。

作者: skyscar 时间: 2011-11-25 10:31
没有人回答的话我来试试
从表面上来讲，9T和12T就是一个row中track的数量，也就是一个standard cell的高度能容纳的track的数量。
在同一种工艺下，在pitch/track的高度一定的情况下，12T cell理所当然会比9T cell高，于是后面的推理就更加合理了，相信大家也知道了：
同一种cell,12T更高（有种说法说也许会更窄） --》 routing resource更多 --》速度更快
同时因为面积会更大 --》drive能力会更强。

作者: icfbicfb 时间: 2011-11-25 12:08
一般site width就是metal 2 pitch ，比如SMIC18 的 0.56 x 5.04 ,  0.56 就是metal 2 pitch，
因为std cell pin基本上都是由metal 2 连接出来的，

高度一般都是 site width的整数倍，比如7， 8， 9 ， 10 ，12 倍，也就叫做7/8/9/10/12 track单元，
比如 0.56 x 5.04 的就是9 track，  0.56 x  3.92 的就是 7 track，
0.2 x  2.4 ( SMIC 65 ) 是12 track，  0.2 x 1.8 ( TSMC65) 是9 track，

区别主要是：
1）带不带tap （n/p well pickup) ,但是也不是绝对的，
比如SMIC18  sc-x 9 track带tap，  sc-m  7track不带tap，不带tap的要用tapcell来偏置电位，
但是比如 TSMC40 nm的 12 track TCBNBWP12T ，也不带tap，
TSMC65  tcbn65bwp  9 track 带 tap，

2）一般来说9 track是属于标准size，  7 track属于小size，也就是低功耗一些，速度慢些，
10、12 track 是高速，  一般 metal1的rail做的更宽，管子好像没啥区别，  rail做的宽
自然能走更多的电流，自然速度就快了，功耗大了，
有的还添加metal2 rail比如65nm以下的库，  这样速度更快了，

选几个track 是由设计目标决定的，如果简单些，就选9 track标准带tap的，比较方便
低功耗选7 track，timing不够就选12 track的，

ARM的9 track叫sage-x ,  7 track叫metro，  12 track叫POP （performance optimization packets），

作者: icfbicfb 时间: 2011-11-25 12:09
从routability来说，当然size越大，越容易route通过，因为pin空间没那么紧张啊

还有：
1个chip上可以多个track std cell 并存，没有任何问题，只要latchup保证没问题就行

作者: 陈涛 时间: 2011-11-25 13:29
回复 4# icfbicfb

这个解释太牛X，赞一个！

作者: dreamylife 时间: 2011-11-25 13:57
回复 5# icfbicfb

膜拜啊！！！

作者: damonzhao 时间: 2011-11-25 14:11
排队来膜拜

作者: szp9912 时间: 2011-11-25 15:18
排队...拜...，一直朦朦胧胧的，9T，12T,终于清楚了

作者: passion699 时间: 2011-11-25 15:32
楼主，辛苦了！

作者: icfbicfb 时间: 2011-11-25 18:01
说的是std cell height 能占用7~12 个 metal 2 track ，很形象，

作者: icfbicfb 时间: 2011-11-25 18:02
回复 4# icfbicfb

见过TI用过 8 track的， 65nm 是 0.21 x 8 = 1.68 um

有些大公司有自己的特色，

作者: liuyaohua6 时间: 2011-11-25 23:14
解释得太详细了，学习了，谢谢啊

作者: my2817 时间: 2011-11-27 12:19
总算清楚了，牛啊

作者: wohewangke 时间: 2011-11-28 17:22
回复 4# icfbicfb

解释的很形象，很清楚，但是对于我们新手来说，其中的一些概念还是理解不动，比如：tap（n/p well pickup）,这个不懂，版主能不能解释一下？

作者: zhanqing1215 时间: 2011-11-28 17:34
4楼正解,呵呵,都是做版图熟悉才知道

作者: icfbicfb 时间: 2011-11-28 17:44
n/p well pickup 就是在nwell和psub上给他们的反偏置电位，能维持电路的稳定，防止latch-up效应，

比如给nwell加vdd，给psub加 vss，这样都是反偏diode，能防止正向导通，

这样的话要在nwell上画一块 implant N区域，用于接到metal 1的VDD
psub上画一块 implant P区域，接到metal1的vss，

这个小区域或者说接触就叫n/p well pickup

作者: sigmay 时间: 2011-11-29 15:02
top icfbicfb！

作者: lh巴萨 时间: 2011-11-29 15:30
太牛了看来还有无数东西要学啊

作者: kevin_nudt 时间: 2011-11-29 16:15
原来如此啊,正解!多谢!

作者: icfbicfb 时间: 2011-11-29 18:14
慢慢来，几年前我也是啥都不懂，

做多了项目就清楚了

作者: dreamxup 时间: 2011-12-1 15:47
还真没用过12track的

作者: yxu2006 时间: 2011-12-1 18:31
回复 3# skyscar

icfb啊，那天给我们这些虾米弄个讲座哈。
一定飞到上海去听。

作者: icfbicfb 时间: 2011-12-2 09:19
实在有需要也不是不行，比如想学的人很多，
搞个小型的培训班也可以的，

作者: snps_007 时间: 2011-12-2 09:52
回复 5# icfbicfb
哥，您就是活着的江湖传说。

作者: snps_007 时间: 2011-12-2 09:55
回复 13# icfbicfb

版主，请问这些公司一般都是自己设计库，还是找foundry单独定制？

作者: icfbicfb 时间: 2011-12-2 12:50
一般fab都有基于自己工艺的library，比如SP018W 针对smic18的io lib，

以前的大公司都自己做library的，比如amd，lsi,ti
marvell等，后来就不一定了，有可能用fab的，也肯用第三方的

第三方的就是专门做library的公司，比如Artisan， Verisilicon， VirageLogic，
dolphin等

作者: kuailexiari 时间: 2011-12-17 21:50
膜拜!!

作者: wxcarson 时间: 2011-12-20 14:45
太牛了，膜拜

作者: alicez719 时间: 2012-6-7 11:04
回复 4# icfbicfb
请问版主哪边有关于track的介绍推荐一下急用谢谢！

作者: 天迹郎 时间: 2012-6-13 18:36
学到新东西了。
感谢！

作者: just0812 时间: 2012-6-18 21:32
都是大虾啊···

作者: wsgqcr 时间: 2012-8-2 15:43
回复 4# icfbicfb

今天研读LPMM，在12.1看到One key characteristic of a cell library is cell height. Cell height is measured in tracks, which is the metal one (M1) pitch. An 8-track cell is tall enough that eight horizontal M1 wires can run through it.
然后查看了几个工艺的tf文件，发现M1和M2的pitch都一样，不知道有没有工艺会出现差异

作者: manxxxxx 时间: 2012-12-20 14:07
回复 4# icfbicfb

smic18,Metal2 pitch 是0.66吧，metal1的pitch才是0.56，所以site width是metal1的pitch吧。。。

作者: manxxxxx 时间: 2012-12-20 14:35
回复 5# icfbicfb

版主麻烦请教一下，如果一个chip上并存不同种track cell，那怎么place这些cell，手动一个个摆吗？还有一个，出于什么考虑，会选择在一个chip上放不同种track cell啊？谢谢。。。

作者: fengwenfeng 时间: 2013-5-29 00:01
膜拜...

作者: 雄关漫道 时间: 2014-2-28 17:37
回复 4# icfbicfb

你这也太牛了吧！

作者: xiaose135 时间: 2014-4-10 09:46
回复 18# icfbicfb

大神好大神

作者: ybl_brandy 时间: 2014-4-10 15:43
请问，我是用Astro的，好像没用到这个，不知道在哪里设置的？能说一下吗？
先谢谢了

作者: lunluoren8 时间: 2014-5-7 12:32
一直都对这个概念懵懵懂懂，今天终于弄明白了！

作者: herrzhou 时间: 2014-5-7 17:34
一直都对这个概念懵懵懂懂，今天终于弄明白了！

作者: gray11 时间: 2015-2-9 10:29
必须收藏

作者: usleesa 时间: 2015-3-16 10:11
download ?

作者: andeliev 时间: 2015-5-26 12:00
学习了

作者: wildwolfhua 时间: 2015-8-18 18:23
学些了！

作者: lanxinfeiyue 时间: 2015-10-16 14:45
回复 1# 陈涛

楼主很牛，学习了！但是还是有几点没弄清楚想继续请教下哈：
1. standard cell的速度、功耗只跟高度有关，跟宽度无关吗？如果高度增加了，宽度是不是会相应减小，那整体面积还是没有变化呀，功耗和速度为什么会差别很大呢？
2.track信息是根据tf库文件提取的吗，我现在看到我做的这个项目的track最小的格子是0.2x0.4的，高度0.4是根据metal1的track来的，那宽度0.2呢，是根据什么来的呢？

查了很久也没有找到答案，盼望大牛能帮忙解答，多谢

作者: andeliev 时间: 2015-10-28 15:57
好厉害，学习中

作者: lv08 时间: 2016-4-29 10:01
学习了！！！

作者: vipwl 时间: 2016-7-9 20:34
回复 4# icfbicfb

学习！

作者: ericp 时间: 2017-8-7 14:55
学习了，终于搞清楚了

作者: 美少女 时间: 2018-9-26 10:51
学习了

作者: chenghsiutso 时间: 2018-9-29 01:22
解釋得真詳盡

作者: tonyhard 时间: 2019-10-21 15:25
学习了。

作者: srx7spb 时间: 2019-10-23 17:23
感恩分享

作者: steper 时间: 2020-3-6 11:38
学习了~

作者: lbt556653 时间: 2020-3-22 20:36
膜拜。。

作者: hijackerhaha 时间: 2020-7-7 20:01
牛！解释的比较详细

作者: hadeheng 时间: 2020-10-24 16:14
有涨了点知识！

作者: hadeheng 时间: 2020-12-3 21:18

icfbicfb 发表于 2011-11-25 12:08
一般site width就是metal 2 pitch ，比如SMIC18 的 0.56 x 5.04 , 0.56 就是metal 2 pitch，
因为std cell ...

版主好，请教下，通过site width的大小，是否可以反过来判断工艺的特征尺寸，感谢版主！！！

作者: 初入职场的小白 时间: 2023-4-20 10:27
膜拜插眼

作者: 梦雪妮儿 时间: 2023-4-25 16:04
感谢分享

作者: semon_lee 时间: 2023-8-11 14:05
thanks for your share！！！

作者: 张志强112233 时间: 2024-3-19 17:40
不就是定义，cell横纵几个皮去，直接理解为cell size有点...不过也可以，差不多意思

作者: t5234265 时间: 2024-7-1 15:03
std cell row 高度，影响core能放多少cell。

作者: meierjianism 时间: 2025-3-14 10:57
感谢大佬们的分享

作者: 15909834256 时间: 2025-3-14 11:14
排队膜拜+1

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