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标题: 芯片ESD测试问题 [打印本页]

作者: asdfjkl    时间: 2011-8-16 14:21
标题: 芯片ESD测试问题
请问做芯片ESD测试时,VCC TO GND (+)   和 GND TO VCC (-) 有什么区别? 为什么两种case都要打?或者是VCC TO GND (-)   和 GND TO VCC (+) 的区别?Thank you
作者: xiaowanzi88    时间: 2011-8-16 15:00
这是JEDEC ESD测试的标准,分别表示正负ESD电压pulse的测试。最大的区别就是电流释放通路的方向不同。建议你看看JEDEC的测试标准。顺便提一句,ESD设计应该从整体网络取考虑的,在不同的网络节点主意内部模拟器件的保护,不要让其他非ESD保护器件去分担ESD应力。
作者: asdfjkl    时间: 2011-8-16 18:05
回复 2# xiaowanzi88


    这是JEDEC ESD测试的标准,分别表示正负ESD电压pulse的测试。最大的区别就是电流释放通路的方向不同。建议你看看JEDEC的测试标准。顺便提一句,ESD设计应该从整体网络取考虑的,在不同的网络节点主意内部模拟器件的保护,不要让其他非ESD保护器件去分担ESD应力。

   感谢您的回复,这些我了解,但我想知道的是这两种放电通路会有不同吗?例如VDD TO GND (+)和GND TO VDD (-),其余PIN都悬空,没感觉有什么区别?
作者: iclover7654321    时间: 2011-8-16 20:33
如果VDD和GND之间有clamp,那么从VDD to GND与从GND to VDD的泄放机制是不同的,一个走沟道,一个走寄生的diode!
作者: yolie    时间: 2011-8-16 20:50
there's No difference   between  VCC TO GND (+)   和 GND TO VCC (-)  . It's the same discharge current path.
作者: ampper    时间: 2011-8-16 21:00


   
请问做芯片ESD测试时,VCC TO GND (+)   和 GND TO VCC (-) 有什么区别? 为什么两种case都要打?或者是VCC ...
asdfjkl 发表于 2011-8-16 14:21




打ESD时,接地的PIN不一样,至于两种接法的ESD 电性能区别应该没有,如果有人知道差别的补充一下。
VCC TO GND (+): gnd接地
GND TO VCC (-): VCC接地
作者: asdfjkl    时间: 2011-8-17 09:14


   
如果VDD和GND之间有clamp,那么从VDD to GND与从GND to VDD的泄放机制是不同的,一个走沟道,一个走寄生的d ...
iclover7654321 发表于 2011-8-16 20:33




    这是指VDD TO GND (+)   和GND TO VDD (+)的情况,如果是VDD TO GND (+)   和GND TO VDD (-)是都走沟道的,没感觉有区别,但为什么两种情况都要测试呢?
作者: xiaowanzi88    时间: 2011-8-17 11:03
根据ESD网络不同而言,通常VDD to GND存在两级保护,一级是主电流释放通路保证ESD相应迅速,第二级采用clamp,Mossiwi之类的钳位电路,保证从VDD到GND的电位低于MOSFET  Breakdown voltage。问题就来了:你如何保证正负电压下ESD释放电流都通过同一条路径呢?有时候Diode是相对低阻点电流就走Diode,而不是走GGNMOS的NPN。ESD测试时候还有一些考虑是针对内部器件的,看是否通过ESD测试会把它们打死,我们当然不想让内部器件区分享ESD Stress了。不知道这么说能否理解?举个例子吧!斯米特触发器的迟滞NMOS管,一端是接GND的,通常我会加100ohm poly res在Drain端,这就是仿制ESD测试时候出现电流走到这个open Drain NMOS的沟道里面,造成失效。如果说是正压测试这个问题不存在,负压测试就打死它了。
作者: 过路心客    时间: 2011-8-17 16:33
理论上芯片里面的放电通路是一样的,但是实际上正如5楼 ampper 所述,到外面所接仪器的地,是不同的,仪器的地,可能是一个良好的“大地”,这样对芯片的影响就有些许的不同。
作者: peye    时间: 2022-4-28 14:05


   
xiaowanzi88 发表于 2011-8-17 11:03
根据ESD网络不同而言,通常VDD to GND存在两级保护,一级是主电流释放通路保证ESD相应迅速,第二级采用clam ...


Mark一下,没太明白

作者: 芯片小兵    时间: 2024-5-20 10:48
mark一下,学习学习




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