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标题: 关于过驱动电压的疑问 [打印本页]

作者: confiope    时间: 2010-8-24 17:24
标题: 关于过驱动电压的疑问
通常电流镜的过驱动电压都是大点好,
书上也是这么说的,我也觉得很有道理。

但是最近看了一些电路,是linear的,
它们的一些电流镜的过驱动电压很小,
几十mV的很普遍,
而且根本不用倒比管,
对于这个现象很纳闷
作者: grusher    时间: 2010-8-24 20:04
怎么知道LINEAR的过驱动电压很小?
作者: confiope    时间: 2010-8-24 20:08


   
怎么知道LINEAR的过驱动电压很小?
grusher 发表于 2010-8-24 20:04


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这个你就不要问了
反正至少有几款芯片是这样
绝对真实
作者: rookie_dsm    时间: 2010-8-24 20:53
工作在sub-threshold区域,用较小的功耗获得较大的gm
作者: dylan_uestc    时间: 2010-8-24 23:38


   
工作在sub-threshold区域,用较小的功耗获得较大的gm
rookie_dsm 发表于 2010-8-24 20:53



好像有道理
作者: confiope    时间: 2010-8-25 08:25
本帖最后由 confiope 于 2010-8-25 08:26 编辑


   
工作在sub-threshold区域,用较小的功耗获得较大的gm
rookie_dsm 发表于 2010-8-24 20:53


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一般的电流镜的MOS 管 gm 小点好
作者: vdslafe    时间: 2010-8-25 08:32
应该看具体地方吧?是不是偏置电流跟输出电流有关?
作者: confiope    时间: 2010-8-25 08:59


   
应该看具体地方吧?是不是偏置电流跟输出电流有关?
vdslafe 发表于 2010-8-25 08:32


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和那没有关系
作者: grusher    时间: 2010-8-25 09:58
如果芯片的静态电流小于10uA,基本可以认定大部分管子在亚阈值区工作。
亚阈区的好处就是增益大、功耗小,随便一款运放都可以做到100+dB。
缺点就是成本高、成品率不够,除非工艺足够牛逼。一般的设计公司不愿意碰这块。
作者: confiope    时间: 2010-8-26 08:33


   
如果芯片的静态电流小于10uA,基本可以认定大部分管子在亚阈值区工作。
亚阈区的好处就是增益大、功耗小,随便一款运放都可以做到100+dB。
缺点就是成本高、成品率不够,除非工艺足够牛逼。一般的设计公司不愿意碰 ...
grusher 发表于 2010-8-25 09:58


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即使不增加电流,也完全可以将vdsat做的更大,
但是它就不这样做
比如说一支路的电流为700nA,
电流镜管子是5/2 *2,
为什么不作成4/5呢
作者: grusher    时间: 2010-8-26 12:59
10# confiope

我想我可能不大理解你的情况。提到Vdsat是做什么用?
作者: confiope    时间: 2010-8-26 13:36
Vdsat就是过驱动电压
就是Vgs-Vth
作者: 山林布衣    时间: 2010-8-26 13:59
低功耗设计的要求吧?

不过低功耗设计,频率响应就成问题了,特别是带负载以后
作者: grusher    时间: 2010-8-26 15:53


   
Vdsat就是过驱动电压
就是Vgs-Vth
confiope 发表于 2010-8-26 13:36



过驱动电压我都叫Vod诶,不过不要紧。
那我们从正向设计来考虑,设计的要求是低功耗,静态电流必须要低,要么减少过驱动,要么减少宽长比。本来静态上分析说,过驱动不减少,使用倒比管也是可以,但是L很大的时候,栅电容也会大,充放电的时间就会相对较慢,工作速度被限制住了。另一方面,在相同版图面积的情况下,减少过驱动电压使得工作在亚阈值区,又可以获得更大的Gm,一举两得。那为什么许多公司不这样做,还是工艺的问题。如果偏出了亚阈区,岂不是弄巧成拙。那linear在这方面的研究上个世纪就开始了,也推出了N多的系列。基本上所有的低功耗LTC-OP,都是在亚阈区工作的。
作者: confiope    时间: 2010-8-26 16:40
只是普通的电流镜,
并不需要多大的gm,
可能是它们的工艺过硬,
Vth的失调可以控制到很好的范围吧
作者: lyly    时间: 2010-8-27 22:30
vdsat过大输出范围会受到一定的影响的
作者: 425454832    时间: 2012-6-15 17:04
电流镜线性了。可能是为了满足低电压的,对电流镜的匹配无关紧要。
作者: 核桃树    时间: 2013-11-22 23:10
减小电流,减小gm,减小宽长比,这就是低功耗。。。。我得多学呢
作者: wswy    时间: 2013-11-23 11:08
回复 3# confiope

你怎么就能知道他工艺的u和cox参数呢?工艺再牛逼,随机现象也是不能避免的,我更多是怀疑你把工艺参数搞错了。
作者: semico_ljj    时间: 2013-11-23 11:29
Vsat。
作者: 122013137    时间: 2017-12-18 23:59
看大文件时比较好
作者: ic_vanne    时间: 2024-11-20 13:45
低功耗设计可以用到倒比管  学到了  难怪在启动电路中经常看到倒比管串联
作者: Halsone    时间: 2025-7-3 17:34
看看




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