EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

标题: LDO流片后电源抑制比会下降多少？ [打印本页]

作者: confiope 时间: 2009-10-27 16:06
标题: LDO流片后电源抑制比会下降多少？
作了一个LDO，前仿真10KHz电源抑制比是65db，
后仿真发现只有58db，不知流片后会是多少，
望高人解答，
如果还会下降很多的话，就不敢去tape out了。

作者: ckseu 时间: 2009-10-27 21:08
做了后仿就应该比较靠谱了吧
我们做的前仿75dB@1K，实测65dB
BTW，10K的时候对PSRR要求还这么高，开环增益一定很高吧，补偿咋做的？

作者: confiope 时间: 2009-10-28 10:48

做了后仿就应该比较靠谱了吧
我们做的前仿75dB@1K，实测65dB
BTW，10K的时候对PSRR要求还这么高，开环增益一定很高吧，补偿咋做的？
ckseu 发表于 2009-10-27 21:08

登录/注册后可看大图

谢谢了！
感觉心里还不踏实，
是按照SCI一篇论文作的
那论文也是坛子里的，如有兴趣，我可以传上来

作者: confiope 时间: 2009-10-28 10:53
to ckseu：
看见了seu
莫非是同门师兄弟，呵呵

作者: ckseu 时间: 2009-10-28 21:34
呵呵，东大6系MEMS的，
应该是比你虚长几届
混了几年，没什么长进，惭愧惭愧

作者: confiope 时间: 2009-10-30 16:18

呵呵，东大6系MEMS的，
应该是比你虚长几届
混了几年，没什么长进，惭愧惭愧
ckseu 发表于 2009-10-28 21:34

登录/注册后可看大图

--------------------
原来是mems的，
学长好啊

0.5工艺[email=60db@10KHz]60db@10KHz[/email] 不好做
而且还要求输出电压的变化幅度很大

作者: lsh0211 时间: 2009-10-30 23:32

谢谢了！
感觉心里还不踏实，
是按照SCI一篇论文作的
那论文也是坛子里的，如有兴趣，我可以传上来
confiope 发表于 2009-10-28 10:48

登录/注册后可看大图

那篇论文，传上来看看，谢谢！

作者: confiope 时间: 2009-11-2 12:52

那篇论文，传上来看看，谢谢！
lsh0211 发表于 2009-10-30 23:32

登录/注册后可看大图

好的

作者: confiope 时间: 2009-11-2 13:07
8# confiope

作者: w98211012 时间: 2009-11-2 13:31
问下，楼上的，你们100KHz以上的PSRR，结果怎么样？

作者: confiope 时间: 2009-11-2 14:28
有两种方法
要么做瞬态
要么做AC，
作AC仿真，不太理想，但是可以看到各个频率点的psrr
做瞬态仿真，比较客观，但是一次只能看一个频率点的psrr

作者: zhanweisu27 时间: 2009-11-2 21:19
本帖最后由 zhanweisu27 于 2009-11-4 21:10 编辑

这个是量产结果

作者: kyoabc 时间: 2009-11-3 15:21
看来能流片的人还是比较少，能做到后仿就不错了

作者: confiope 时间: 2009-11-4 13:50

问下，楼上的，你们100KHz以上的PSRR，结果怎么样？
w98211012 发表于 2009-11-2 13:31

登录/注册后可看大图

-------

约为43dB

作者: confiope 时间: 2009-11-5 10:27
12# zhanweisu27
------------------------------
你们做得LDO很牛啊
请问用什么工艺，
什么架构阿？
输入输出电压差是多少？

作者: zhanweisu27 时间: 2009-11-5 13:50
输出电压不同版本有3.3,2.85,2.5,1.8,1.2
如果多通道的芯片跟coupling, bandgap的psrr, LDO的架构,版图都有很大关系
调了几次才好

作者: zxcfdsa 时间: 2009-11-17 22:47
一般输出电流多少？

16# zhanweisu27

作者: lsh0211 时间: 2009-11-18 21:53

输出电压不同版本有3.3,2.85,2.5,1.8,1.2
如果多通道的芯片跟coupling, bandgap的psrr, LDO的架构,版图都有很大关系
调了几次才好
zhanweisu27 发表于 2009-11-5 13:50

登录/注册后可看大图

可否透露一下电路架构？学习学习！

作者: zhanweisu27 时间: 2009-11-18 22:25
最大300mA,其实美信,TI也有类似产品的

作者: alexshuai 时间: 2009-11-19 23:41
谢谢了！

作者: bluesmaster 时间: 2010-1-19 21:58
seu mems的朋友，我也有阿

作者: sejimmu 时间: 2010-1-19 22:20
mems 哥们在哪家做模拟呀？

作者: ckseu 时间: 2010-1-20 11:59
晕沉了这么久的帖子也被楼上两位翻出来了，呵呵
估计是学弟
eetop估计不让版聊
空的时候加QQ聊吧 52589672

作者: fairyline 时间: 2010-1-20 13:07
不太了解啊。

作者: semico_ljj 时间: 2010-1-21 09:40
还不错。。。。

作者: waley 时间: 2010-1-21 23:57
看看這篇如何
3q3q~~~

作者: sea11038 时间: 2010-1-22 14:02
我仿真的PSRR在1KHz为70dB左右，，100kHz大概38dB，不知道性能算怎么样

作者: zhong521 时间: 2010-5-26 13:39
大300mA,其实美信,TI也有类似产品的

作者: ic_designer 时间: 2010-5-26 23:04
看看这篇文章

作者: mushui 时间: 2010-6-6 22:21

做了后仿就应该比较靠谱了吧
我们做的前仿75dB@1K，实测65dB
BTW，10K的时候对PSRR要求还这么高，开环增益一定很高吧，补偿咋做的？
ckseu 发表于 2009-10-27 21:08

登录/注册后可看大图

实测的挺不错嘛！我做的电路，发现后仿和测试还是有差距。。
您用的是什么工艺？还有，怎么测试的？用的是频谱分析仪？还是扫频仪器？

作者: icseubear 时间: 2010-6-16 15:47
http://www.ridleyengineering.com/freesoftware.htm,

作者: sudan620 时间: 2010-6-16 20:51
又见同门！

作者: no1bigdog 时间: 2010-6-19 11:14
学习学习

作者: wm830128 时间: 2010-6-22 15:19
xiaxia lai kankan

作者: birdqiang 时间: 2010-6-28 19:25
看看，温故知新

作者: napoleon223 时间: 2010-6-28 23:23

这个是量产结果

登录/注册后可看大图

zhanweisu27 发表于 2009-11-2 21:19

登录/注册后可看大图

多大功耗下做的啊？什么工艺啊？相当的不错了

作者: mushui 时间: 2010-7-12 13:39
10khz做到这个水平很不错啊

作者: dengqin 时间: 2010-7-12 14:17
duoxie le

作者: 夏天里的绿荫 时间: 2011-5-7 15:29
谢谢楼主

作者: xjqxjq28007 时间: 2011-5-7 16:19
好东东，学习一下，

作者: sijutann 时间: 2011-5-7 18:05
kakan.............

作者: sxzong_hit 时间: 2011-5-7 18:44
路过，学习一下~~~

作者: wanhaha50 时间: 2011-5-13 09:20
回复 9# confiope

xuexile

作者: inf 时间: 2011-5-14 12:05
这个结构能调出来吗？最大3A电流？

作者: iyahsue 时间: 2012-3-27 11:33
gooooooooooooooooooooooooooood

作者: pyhpsh 时间: 2012-10-27 17:42
能请教一下你们认为LDO中对psrr影响比较大的是什么因素吗？

作者: leelke 时间: 2012-10-27 23:04
psrr要求好高

作者: kartic 时间: 2012-11-2 08:52
怎么我的LDO误差放大器也是如此，前仿真62dB，后仿不到60dB

作者: macro_man 时间: 2015-1-23 14:28
看看大神解惑

欢迎光临 EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) (https://bbs.eetop.cn/)