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标题: 求助：帮忙分析这个LDO [打印本页]

作者: standup 时间: 2008-9-29 01:54
标题: 求助：帮忙分析这个LDO
用于LDO，要求输出电压3V，驱动电流50mA，请比较两者的优劣。
我觉得由于A驱动能力较弱，而B是PMOS输入，输出电压较低，可以满足较大的驱动电流，不知是否正确。其他的比较请各位指点

作者: refugee 时间: 2008-9-29 21:53
这两个LDO结构上是一样的，所以大的差异并没有。

我觉得差异来自于运放吧。一个是nmos输入的，一个是pmos输入的。也就是噪音，共模输入范围这些的差异。处于对LDO应用的考虑（输出范围），两个都差不多

作者: xdbb 时间: 2008-9-29 22:04
the psrr of a is higher than b

作者: zxj_abc 时间: 2008-9-29 23:22
第一级有个输入输出范围，会影响第二级的工作区间
psrr不一样

作者: standup 时间: 2008-10-2 16:45
refugee能不能说说nmos输入和PMOS输入的两级运放，有什么区别吗？我只知道PMOS噪声小，增益小，电压较低时采用，还有其他的吗？能否深入分析下？
另外，A和B的PSRR究竟那个高呢？

[ 本帖最后由 standup 于 2008-10-2 16:47 编辑 ]

作者: guonanxiang 时间: 2008-10-6 10:39
nmos pmos输入共模范围不一样，输出共模范围差不多，根据你的应用光考虑这个的话两种没什么区别
环路增益越大，LDO对电源的psrr性能越好

作者: syracuse 时间: 2008-10-6 12:17
我觉得仅仅是psrr不同而已，驱动能力没什么不同吧，因为第二级用的是相同的pmos。

作者: stoneduan 时间: 2008-10-6 13:19
驱动能力只与第二级pmos有关

作者: guonanxiang 时间: 2008-10-6 15:36

原帖由 walker5678 于 2008-10-6 14:19 发表

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两个电路的PSRR到底那个好？

低频下PSRR主要由环路增益决定，如果两个环路增益设计的差不多，那么PSRR性能也差不多。

高频时还存在电源纹波通过寄生电容直接耦合到输出的问题，而这个耦合主要是通过驱动极 ...

按照你的说法，A中如果VDD通过Cgd耦合到pass管的gate不是正好有助于稳定pass管的Vgs吗？

作者: ggy168 时间: 2008-10-7 01:49
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: stoneduan 时间: 2008-10-7 09:05

原帖由 walker5678 于 2008-10-6 14:19 发表

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两个电路的PSRR到底那个好？

低频下PSRR主要由环路增益决定，如果两个环路增益设计的差不多，那么PSRR性能也差不多。

高频时还存在电源纹波通过寄生电容直接耦合到输出的问题，而这个耦合主要是通过驱动极 ...

思路不对

作者: guonanxiang 时间: 2008-10-7 15:05

原帖由 walker5678 于 2008-10-6 16:14 发表

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恩。。是的，我欠考虑了，驱动管源极也是波动的。经过几个寄生电容的耦合，也会有相位的变化。。不过应该还是a比b要好些。

我觉得差不多，Vdd通过pass管电容直接耦合到输出，其他的寄生相对于pass管都很小

作者: tigermouth 时间: 2008-10-7 22:29
从架构上看，a比b的psrr要好些；
若输出级PMOS的尺寸相同，b比a的驱动能力要好些。

作者: zjqmyron 时间: 2008-10-7 23:32

原帖由 walker5678 于 2008-10-6 14:19 发表

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两个电路的PSRR到底那个好？

低频下PSRR主要由环路增益决定，如果两个环路增益设计的差不多，那么PSRR性能也差不多。

高频时还存在电源纹波通过寄生电容直接耦合到输出的问题，而这个耦合主要是通过驱动极 ...

分析是对的，但只分析了输入级，单考虑输入级的话，b的psrr比a好，
但是两级同时考虑的话，a结构中有栅源抵消作用，从而a的psrr比b好

作者: adanshen 时间: 2008-10-10 01:56
circuit A is better

作者: fugly316 时间: 2008-10-15 18:21
A的PSRR比B 的大，Pmos的电流镜是不会传递VDD的波动，但是输出驱动管PMOS的源端接VDD，波动起来使得VGS有变化，传递输出
而NMOS电流镜会传递VDD波动，但是源端的波动正好两者抵消，PSRR比较高

作者: huangjw 时间: 2008-10-21 14:18
提示: 作者被禁止或删除内容自动屏蔽

作者: icsb 时间: 2008-10-21 14:37
这应该是炬力的一道笔试题吧？
首先我觉得最大的不同 B的输出电压可以比较小，那么相同的宽长比B的电流大
也就是说B比较省面积
其次 A的PSRR要比B好，因为A的电源有个波动的话，功率管栅极由于电流镜的作用也会产生响应的波动
正好相互抵消
第三，A是NMOS输入，B是PMOS输入，宽长比一样的话，B的噪声会低些
暂时就想到这么多
其他线性和负载的瞬态响应好像都差不多

作者: pandaoyzh 时间: 2008-11-3 00:20
用于LDO，要求输出电压3V，驱动电流50mA，请比较两者的优劣。我觉得由于A驱动能力较弱，而B是PMOS输入，输出电压较低，可以满足较大的驱动电流，不知是否正确。其他的比较请各位指点

你的说法是对的，这两个电路粗略看起来是一样的，其实是不一样的．
带负载能力主要是看第一级驱动PMOS管的电压的幅度，第一级的输出最小电压只能是２个VDS，第二个是一个VDS．
使得PMOS的电阻更小，也就是带负载的能力越强．

作者: xaut 时间: 2009-8-14 17:51
呵呵，a的psrr比b的好，看书知道。
但对于相同的PMOS尺寸来说，b的驱动比a的好。

作者: confiope 时间: 2009-8-14 21:04
靠，
看了这么多，居然没有一个正确的答案

考的都是基本知识，
看一下静态工作点，第二个明显是不行了
失调电压很大
如果留心教科书或者项目中的电路，从来不会有第二个这样的电路的
这是常识

作者: hpfhaixf 时间: 2010-9-11 23:12
真的很不错的哎

作者: hpfhaixf 时间: 2010-9-11 23:15
真的很不错的哎

作者: hpfhaixf 时间: 2010-9-11 23:32
真的很不错的哎

作者: hpfhaixf 时间: 2010-9-13 06:37
zhen de hen hao de dong xi

作者: hpfhaixf 时间: 2010-9-13 07:54
zhen de hen hao de dong xi

作者: lylnk 时间: 2010-9-13 17:33
第二个电路只有在特定的VCC和FB电压下才能用。
通用的电路不能这么干。排除B吧。

作者: hpfhaixf 时间: 2010-9-14 23:31
真的是好东西哎

作者: mtwumtwu 时间: 2010-9-16 10:21
Yes, basically , these two stuture is similiar, just see what LDO voltage you want !!!

作者: hushuoqiu 时间: 2010-9-16 17:58

靠，
看了这么多，居然没有一个正确的答案

考的都是基本知识，
看一下静态工作点，第二个明显是不行了
失调电压很大
如果留心教科书或者项目中的电路，从来不会有第二个这样的电路的
这是常识
confiope 发表于 2009-8-14 21:04

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我觉得静态工作点不是问题　可以通过长宽比调节

作者: confiope 时间: 2010-9-17 08:25

我觉得静态工作点不是问题　可以通过长宽比调节
hushuoqiu 发表于 2010-9-16 17:58

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--------------------------
无知

作者: hushuoqiu 时间: 2010-9-17 16:58
本帖最后由 hushuoqiu 于 2010-9-17 18:22 编辑

--------------------------
无知
confiope 发表于 2010-9-17 08:25

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所谓静态工作点　只是一个倾向　只能说第二种方案比较容易使第二级MOS管不在饱和区而这些理论上是可以通过调节第一级的长宽比来协调的

另外请你说话有一点基本的对人的尊重

作者: chaojixin 时间: 2010-9-19 16:39
第一个是N功率管第二个是P功率管吗？那么两个的PSR都不会太高，倒过来差不多

作者: chaojixin 时间: 2010-9-19 16:41
本帖最后由 chaojixin 于 2010-9-19 16:43 编辑

还有第二个LDO轻载时怎么办？第一级这样的放大器，功率管的栅到得了VDD-Vth附近吗？

作者: confiope 时间: 2010-9-20 15:27
本帖最后由 confiope 于 2010-9-20 15:29 编辑

所谓静态工作点　只是一个倾向　只能说第二种方案比较容易使第二级MOS管不在饱和区而这些理论上是可以通过调节第一级的长宽比来协调的

另外请你说话有一点基本的对人的尊重
hushuoqiu 发表于 2010-9-17 16:58

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可能是我说话随意了点，

如果我说，请你多考虑点。

你可能不以为意，
过去就算了。就把这个问题放过去了

说重点，你可能会更重视这个问题
可能了解更深入

通常如果我有什么错误，别人在怎么说都没关系。

作者: 122013137 时间: 2010-9-20 15:48
会更重视这个问题

作者: yangyuanwei 时间: 2010-9-23 21:12
从全局考虑，Ａ的PSRR要好于Ｂ。
ＰＭＯＳ电流镜负载会传递ｖｄｄ波动，ＮＭＯＳ电流镜负载不会传递ｖｄｄ波动。
对于Ａ，第一级的传递的ｖｄｄ波动和第二级ＰＭＯＳ管的ｖｄｄ波动进行抵消（Ｖg-Ｖs=0）。
对于B，第一级的NMOS电流镜负载没有传递vdd波动给第二级，而第二级的PMOS管却会有波动，两级没有相互抵消。

作者: xiaowanzi88 时间: 2010-9-25 17:37
又是杭州士兰德笔试题！这两个电路最要命的地方时运放的输出电压的摆幅范围！能否把DC调到VDD/2 呢？自己想想就知道，其中一个方案不怎么好了

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