分享一则（资料）INA270AQDRQ1 FXLS60230AESR2 VND7E040AJTR VND3NV04TR OMNIFET II：全自动保护功率MOSFET（明佳达）

INA270AQDRQ1 汽车级 -16V 至 80V、分级电流感应放大器

产品型号：INA270AQDRQ1

电源电压-最大: 18 V

电源电压-最小: 2.7 V

工作电源电流: 950 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

资格: AEC-Q100

带宽: 130 kHz

输入电压范围: - 16 V to 80 V

工作电源电压: 2.7 V to 18 V

INA270AQDRQ1是一款高性能电流感应放大器，专为汽车和工业应用设计。该芯片符合 AEC-Q100 标准，具有宽共模电压范围、高精度和低功耗的特点。其具有以下特点：

宽共模电压范围：支持 -16V 至 +80V 的共模电压，独立于供电电压。

高精度：具有 120dB 的共模抑制比（CMRR），最大偏移电压为 ±2.5mV，增益误差为 ±1%，偏移漂移为 20µV/°C，增益漂移为 55ppm/°C。

低功耗：最大静态电流为 900µA。

快速响应：带宽高达 130kHz，简化了在电流控制环路中的使用。

优化的引脚布局：便于外部滤波。

工作温度范围：-40°C 至 +125°C，适用于严苛的环境条件。

封装形式：采用 8 引脚 SOIC 封装。

INA270AQDRQ1 产品应用

• 电动助力转向（EPS）系统

• 车身控制模块

• 制动系统

• 电子稳定控制（ESC）系统

FXLS60230AESR2是一款高性能的三轴数字加速度传感器，专为工业和汽车应用设计。该传感器能够精确测量加速度、速度和减速度，具有低功耗、超低噪声和高精度的特点。

规格参数

产品型号：FXLS60230AESR2

封装类型：HLQFN-16

工作温度范围：-40°C 至 +125°C

最大功耗：低功耗设计，适合节能应用

输出数据格式：数字输出，支持 I2C 和 SPI 接口

功能特性

该器件主要用于运动检测、姿态控制等场景，可测量三个方向的加速度数据。其高精度和稳定性使其适用于电子设备的防抖动设计及运动追踪系统。 ‌

应用领域

FXLS60230AESR2适用于智能手机、无人机、可穿戴设备等消费电子产品，以及工业控制系统中的振动监测和稳定性分析。 ‌

VND7E040AJTR 具有电流感应模拟反馈的双通道HSD

产品型号：VND7E040AJTR

库存状态：在售

开关类型：通用

输出数：2

比率 - 输入:输出：1：1

输出配置：高端

输出类型：N 通道

接口：-

电压 - 负载：4V ~ 28V

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：-

电流 - 输出（最大值）：20A

导通电阻（典型值）：38 毫欧

输入类型：非反相

特性：自动重启，状态标志

故障保护：限流（固定），开路负载检测，超温，过压，短路，UVLO

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

等级：汽车级

资质：AEC-Q100

安装类型：表面贴装型

器件封装：PowerSSO-16

VND7E040AJTR技术特性

驱动能力‌：支持双通道高侧驱动，每个通道最大输出电流38A，导通电阻38mΩ，适用于12V汽车负载。

‌电压范围‌：工作电压4V至28V，支持极低电压操作（2.85V）以满足深度冷启动需求。

‌保护功能‌：集成过载保护、过热关断、短路保护等功能，并通过AEC-Q100认证。

‌接口兼容性‌：支持3V和5VCMOS接口，具备电流感应模拟反馈功能。

典型应用

VND7E040AJTR主要用于汽车电阻、电感及电容性负载，包括ADAS系统（雷达、传感器）、汽车前照灯等需高侧驱动的场景

VND3NV04TR器件是OMNIFET II™系列VIPower™ M0-3工艺的功率MOSFET驱动器，采用TO-252封装，适用于直流至50kHz的功率MOSFET替换场景。

规格参数

库存状态：在售

开关类型：通用

输出数：1

比率 - 输入:输出：1：1

输出配置：低端

输出类型：N 通道

接口：开/关

电压 - 负载：36V（最大）

电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：不需要

电流 - 输出（最大值）：3.5A

导通电阻（典型值）：120 毫欧（最大）

输入类型：非反相

特性：-

故障保护：限流（固定），超温，过压

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：DPAK

VND3NV04TR技术特性

‌保护功能‌：内置热关机、线性电流限制和过压钳制，可在恶劣环境提供芯片保护。 ‌

‌反馈机制‌：通过输入引脚电压可检测故障状态，支持ESD保护（静电放电保护），兼容传统功率MOSFET。 

‌工作参数‌：工作温度范围-40°C至150°C，输入电压兼容性符合欧洲指令2002/95/EC。

应用场景

VND3NV04TR适用于工业控制、电源管理等需高频切换的场景，可替代传统功率MOSFET并提升可靠性。