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LOCOS和STI

热度 8已有 5888 次阅读| 2019-12-18 14:47 |个人分类:technology|系统分类:硬件设计

LOCOS:

硅局部氧化隔离（Local Oxidation of Silicon）技术，是20世纪70年代提出的一种CMOS硅工艺中常用的器件隔离技术。CMOS工艺最常用的隔离技术就是LOCOS（硅的选择氧化）工艺，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在这种工艺中，除了形成有源晶体管的区域以外，在其它所有重掺杂硅区上均生长一层厚的氧化层，称为隔离或场氧化层。常规的LOCOS工艺由于有源区方向的场氧侵蚀（SiN边缘形成类似鸟嘴的结构，称为“鸟喙效应 bird beak”)和场注入的横向扩散，使LOCOS工艺受到很大的限制。

STI:
浅槽隔离（shallow trench isolation），简称STI。是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺，通常用于亚0.25um工艺以下，利用掩模完成选择性氧化，主要绝缘材料是淀积SiO₂，
浅槽隔离主要分为三个部分：槽刻蚀，氧化硅填充，氧化硅平坦化。

1）槽刻蚀

（1）隔离氧化硅生成：氧化硅用于保护有源区在去掉氮化硅时免受化学污染

（2）氮化硅(Si₃N₄)淀积：氮化硅是坚硬的掩模材料，有助于保护STI氧化硅淀积过程中保护有源区；在化学机械抛光(CMP)中充当阻挡材料

（3）浅槽刻蚀：用氟基和氯基气体离子刻蚀

2）氧化硅填充

（1）沟槽衬垫氧化硅：高温生长一层150A的氧化硅

（2）浅槽CVD氧化物填充：淀积氧化硅

3）氧化硅平坦化

所以：

.35um 用的是LOCOS工艺

.18 .13 用的是STI工艺

LOCOS和STI的区别：