日志
硅和掺杂硅
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锗是20世纪50年代早期第一个用作半导体的材料，但后来很快被硅取代了，主要是由于：
1）硅资源丰富，成本更低（硅占地壳成分的25％）
2）更高的熔点允许更宽泛的工艺容限（硅熔点1412℃，锗熔点937℃）
3）其表面自然生长氧化硅（SiO₂）的能力：
（1）SiO₂是一种高品质，稳定的绝缘材料，电学上的稳定对于避免集成电路中相邻导体之间的漏电很关键
（2）SiO₂可以充当优质的化学阻挡层保护硅不受外部污染，且与Si有雷士的机械性能，不会在高温工艺中产生过度翘曲
纯硅在工艺中是极少应用的，纯硅的电阻率（p）接近2.5x10⁵ Ω-cm
如果每一百万个硅原子中有一个硅原子被砷原子取代，电阻率就会下降到0.2Ω-cm ，相当于电导率增加了1.25x10⁶倍（百万倍）。
半导体中最常用的参杂元素：
三族(p) 五族(n) 结
硼(B) 磷(P)
砷(As)
锑(Sb)
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