对于GaN工艺下器件仿真中遇到问题-Sentaurus-TCAD

IC蜘蛛网理论 · 发表于 2018-10-17 19:10:14

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(sdedr:define-constant-profile "CP.xMole" "xMoleFraction" x)
(sdedr:define-constant-profile-region "CP.xMole" "CP.xMole" "AlGaN" 0 "Replace")
上面常熟掺杂中用到函数是摩尔分数，定义数值是x，替换区域是AlGaN勢垒层，我想问的问题1.此中x指的是那一部分具体那个元素的数值，是Al吗？2.SDE定义中的摩尔分数与后面Sdevice中变量文件中定义的摩尔分数有联系吗？
上面的问题本人看了SDE，唯一找到几个相关字却和我问题不太相关，所以请大神不吝赐教！

14102058 · 发表于 2019-4-17 11:55:03

这个能仿GaN嘛？据说仿不了

[求助] 对于GaN工艺下器件仿真中遇到问题-Sentaurus-TCAD

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