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[转贴] 美光進行下世代 1Y 奈米 DRAM 驗證,技術上不須推進 EUV 應用

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发表于 2018-6-19 22:15:09 | 显示全部楼层 |阅读模式

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美光進行下世代 1Y 奈米 DRAM 驗證,技術上不須推進 EUV 應用

technews

日期 2018 年 06 月 06 日

2018 年在邏輯 IC 的生產方面,包括台積電、三星及格羅方德等都會量產 7 奈米製程。
首代的 7 奈米製成將使用傳統的 DUV 光刻技術,第二代 7 奈米製程才會上 EUV 光刻技術,
且在 2019 年正式量產。至於,在記憶體產業部分,
美光日前也表示,EUV 光刻技術並不是 DRAM 製程中所必須的,
而且未來幾年內都都還不一定用得上。目前,美光在新一代製程技術上,
正在由客戶驗證 1Y 奈米製程的記憶體,而且未來還有 1Z、1α 及 1β 製程。
美光指出,記憶體跟處理器等羅技 IC 雖然都是半導體產品,
生產製造過程有相似之處,不過製程技術並不相同。
處理器的製程技術 2018 年已經進入到了 7 奈米的節點,
但記憶體主流的還是 20 奈米、18 奈米等技術。

其中,

18 奈米就屬於 16 到 19 奈米之間的 1X 奈米節點,

後面的 1Y 奈米則是 14 到 16 奈米之間,

1Z 則大概是 12 到 14 奈米製程之間。

再往下走,美光就提出的是 1α 及 1β 製程技術,
而具體對應的製程技術是多少奈米就不明了。


就目前市場上來看,三星是第一家量產 18 奈米技術記憶體的廠商,也就是第一個進入 1X 奈米節點的記憶體公司,遙遙領先其他競爭對手。而美光方面,現在也開始向 1X 奈米技術轉進,下一代的 1Y 奈米技術則已經進入客戶驗證階段了,預計 2018 年下半年問世。再下去的 1Z 奈米技術節點目前正處於製程優化階段,而 1α 及 1β 製程則是在不同研發階段中。

對此,美光執行長 Sanjay Mehrotra 日前在參加公開會議上表示,在 EUV 光刻技術上,他認為 EUV 光刻機在 DRAM 晶片製造上不是必須的,未來可能到 1α 及 1β 製程技術時都還不見得會用到。不過,這樣的看法似乎與半導體設備大廠艾司摩爾 (ASML) 的看法有些不同。因為,艾司摩爾之前曾經表示,在記憶體生產技術上,進入 1Y 奈米技術的節點時就需要考慮 EUV 技術了。只是,這樣的預測到目前實際上並沒有發生,因為包括三星在內的三大 DRAM 廠在內,目前都沒有很快進入 EUV 技術的打算。因此,即使未來記憶體的需求依舊強勁,但要以 EUV 技術來加大能量,短期內仍然還不容易見到。
 楼主| 发表于 2018-6-19 22:16:41 | 显示全部楼层
回复 1# peterlin2010


    FROm
eettaiwan.com

美光科技的1x nm DRAM單元架構採用6F2單元設計。它利用帶有島型交錯主動層圖案的鞍型塊狀鰭片(即所謂的FinET)、具有凹槽通道的埋入式金屬字線、直線型位元線以及蜂巢狀圓柱形單元電容等  

相較於以2y nm  (可能為20 nm)製程製造的晶片,其主動層和位元線圖案的形狀不同。DDR4元件上的焊墊置於晶片中央成為一排。
美光1x nm DDR4 DRAM裸晶的尺寸較相同8Gb記憶體密度的2y nm裸晶縮小了大約18.3%。 1x nm LPDDR4裸晶則較2y nm裸晶縮小17.14%。
因此,DDR4裸晶的位元密度為0.137Gb/mm2,增加了11.4%。1x nm LPDDR4裸晶的位元密度為0.152Gb/mm2,較先前的2y nm元件更高約60%,如下圖所示。

0d11342d-0c8e-4cbc-9c84-d891abc4e830.jpg.png


相形之下,三星的1x nm DRAM (包括DDR4和LPDDR4X)位元密度為0.189Gb/mm2。這意味著美光的1x nm LPDDR4裸晶由於單元尺寸較大,使其位元密度比三星的更低約20%。
在美光的3x、2x和2y DRAM單元設計中,字元線間距是三項關鍵尺寸(主動層、字元線和位元線間距)中最小的。然而,在其1x nm DRAM上,美光科技採用間距最小的主動圖案,這與三星和海力士(SK Hynix)的DRAM作法相同。
相較於2y nm DRAM單元設計,美光1x nm單元的主動層和位元線間距分別減少了40%和13%,而字元線間距則增加了20%,如下所示。美光的1x主動間距與三星的非常類似,但其1x字元線和位元線間距則較三星的大。
 楼主| 发表于 2018-6-19 22:21:22 | 显示全部楼层
回复 2# peterlin2010


    DRAM内存产业基本上只有三星、SK Hynix及美光三家在玩了。
目前三大厂商的主力制程工艺已经进入20nm,
其中三星的进度最快,他们2015年3月份量产了20nm工艺,
但现在正在修改工艺,已经完成了1x nm工艺的的量产验证工作。

在20nm以下,DRAM工艺预计将经过两到三次的技术叠代.,
可以称之为1x nm,1y nm,1z nm。

其中,1x nm位於16nm和19nm之间,
1y nm则定义为14nm到16nm,1z nm则是12nm到14nm。

应用材料的总经理Er-Xuan Ping在谈到DRAM工艺时表示。


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