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[求助] 高边驱动电路里的高边侧里的驱动P管的NW与psub耐压不够

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发表于 2018-6-12 17:45:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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高边nmos管的隔离n阱与psub形成的二极管耐压能到860V(意味着电源到地能有860V),可PMOS管的NW与psub形成的二极管耐压只有38V,这样电源最高电压就不能超过38V,那高边nmos管设计成这么高有什么用?
发表于 2018-6-12 21:56:12 | 显示全部楼层
同学。
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