HEMT晶体管击穿电压

Yestone_ · 发表于 2018-6-10 21:15:43

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求教一个问题：利用HEMT晶体管设计功率放大器，工艺库中提供晶体管的击穿电压BVDG为17V。那么，是晶体管的直流偏置VDG不超过17V晶体管就不会击穿，还是VDG的DC+RF摆幅的最大值不超过17V晶体管就不会被击穿，还是VDG的DC+RF摆幅的平均值不超过17V晶体管就不会被击穿？请问，以上三种说法哪种是正确的？

mssgzw · 发表于 2018-6-10 22:45:40

看你的具体工艺要求。
不过个人经验来看，HEMT的最大耐压指的就是所有电压差。包括port对port以及port对地等。任一个超过了，就算超压。共同讨论

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