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[求助] 模拟版图不同电位器件隔离

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发表于 2018-5-21 17:16:52 | 显示全部楼层 |阅读模式

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隔离是nwell之间的距离三微米有点大没办法利用起来,有什么更好的隔离方法吗?
发表于 2018-5-21 17:23:28 | 显示全部楼层
把相同电位的device 尽量放在一个nwell 里。
不同电位的nwell 用guardring 包起来
 楼主| 发表于 2018-5-21 17:43:17 | 显示全部楼层
回复 2# firewolf223

guardring是由什么组成的?有什么要注意的吗?
发表于 2018-5-22 09:22:32 | 显示全部楼层
回复 3# ch085234


   psub包住隔离开就好了,相同电位的器件放一起可以省面积
发表于 2018-5-22 10:56:33 | 显示全部楼层
回复 3# ch085234


  不同电位的nwell之间用guardring(即ground 环)隔离开,主要是由P+ tap组成,和常规NMOS的隔离环层次一样,只是有时候说法不同。
发表于 2018-5-22 11:21:10 | 显示全部楼层
回复 3# ch085234


    就是p pick up
    这么说吧,如果你要减小面积不同电位的nwell 可以再放大一点,把nmos 放中间,肯定超过3um了。
    如果你的工艺在90nm 以下 注意一下WPE
    尽量不要违反design rule ,其实3um 这个value 也不一定的,就算你放到2 只要电压不高也不会有啥问题。
   但是万一有啥问题的时候fab 就说你没有on rule 。有些时候有些问题真的说不清
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