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[求助] 为什么在版图中有源区和poly重叠的地方不能打接触孔,求解答

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发表于 2018-4-25 14:06:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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发表于 2018-4-25 15:05:23 | 显示全部楼层
会违规的吧
发表于 2018-4-25 19:33:48 | 显示全部楼层
有源区和poly重叠的部分是cmos的gate,就是沟道。gate上不允许打孔应该是代工厂的要求,
沟道作为一颗mos最关键的结构,对于精度的要求是很高的。
而打通孔时需要盖掩膜版,光照,刻蚀等工业处理。
在poly和metal1中间的绝缘层打孔,这些操作可能会影响到沟道的精度。
所以rule中不仅不允许在gate上打孔,而且还有spacing的要求。

以上都是我的推测,真是原因我觉得应该资深PE才能知道。
欢迎大家积极讨论
发表于 2018-4-25 21:24:02 | 显示全部楼层
因为栅氧的厚度相对于场氧要薄很多,所以场氧耐压高于栅氧,而在生产过程中,metal层通常会累积电荷,所以poly-contact做在场氧上的上更安全。
发表于 2018-5-10 20:31:52 | 显示全部楼层
回复 4# powerboy711


666,同意
发表于 2018-6-4 10:53:52 | 显示全部楼层
回复 4# powerboy711


    4楼正解,貌似在哪本书上看到过
发表于 2018-6-4 10:54:28 | 显示全部楼层
回复 4# powerboy711


    4楼正解,貌似在哪本书上看到过
发表于 2018-6-4 10:55:28 | 显示全部楼层
回复 4# powerboy711


    4楼正解,貌似在哪本书上看到过
发表于 2018-6-4 13:03:43 | 显示全部楼层
good point
发表于 2018-6-14 22:41:37 | 显示全部楼层
打孔会影响阀值电压,好像是版图的艺术上面匹配那里有写
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