在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2881|回复: 9

[求助] 关于 基准带隙 仿真

[复制链接]
发表于 2018-4-14 12:27:35 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 小海滩 于 2018-4-14 12:29 编辑

最近在做基准带隙的时候遇到了一些问题:使用的是HLMC55nm工艺,仿真工具cadence6.17 ,电源电压3.3V
1.对于图一所示电路,我是这样设计的,左右支路给30uA电流,测出对应的BJT的Vbe(大概821mv),在使运放输入共模电压为Vbe,测得运放输出为2.2V,此时MOS管结点电压和电流已确定,仿真出对应的W和L。在算出电阻R=Vbe/30uA=27K.       但实际在仿真时发现支路电流只有几PA,几乎没有电流,运放输出结点电压约为3.3V。   减小电阻至6K,此时电路才“正常”工作,但支路电流为90UA,而且电流并不会随着我改变宽长比而变化太多。请问这是为什么,是因为电流分配不对,计算过程有误,还是没有启动电路的缘故?

2.为了判断是不是没有启动电路我  简略  的加了一个如图二所示的启动电路,输出接在运放的输出结点,图一中各种参数采用30UA对应的参数,仿真发现当M3导通时确实能把结点P电压从3.3V拉低,但拉得太低了,只有0.6V左右,导致图一电路两端流过很大(500UA左右)的电流,而当M3关断时,P结点电压又回到3.3V电源电压。   针对这个现象,请问各位是我这样启动电路有问题吗,还是别的什么原因?希望各位大神指点一下,谢谢了。 QQ图片20180414122741.jpg
 楼主| 发表于 2018-4-14 12:29:01 | 显示全部楼层
回复 1# 小海滩
发表于 2018-4-14 21:50:22 | 显示全部楼层
首先这个不是带隙基准,设置参数的思路也不对
启动电路也不对。。。
建议找现成的带隙基准毕设来参考或者沉下来看看书
 楼主| 发表于 2018-4-14 22:44:27 | 显示全部楼层
本帖最后由 小海滩 于 2018-4-14 22:48 编辑

回复 3# skyundie  这是基准带隙电路的一部分,用来产生一个负温度系数的电流。你说参数设计思路有问题,我看参考文献上的设计思路跟我一样,而且这样设计好像并没有什么问题,至于启动电路,哪里有问题能说清楚点吗?
发表于 2018-4-15 12:37:52 | 显示全部楼层
启动电路 不对。
发表于 2018-4-16 16:45:40 | 显示全部楼层
PTAT电流电路,电路有问题
 楼主| 发表于 2019-3-5 22:50:52 | 显示全部楼层
总结:我的设计思路和电路完全没有问题,启动电路也没有问题,最后的解决是把电源VDD从直流电压源变成了斜坡上升的电压源。
发表于 2019-3-6 09:50:16 | 显示全部楼层
回复 7# 小海滩

你的意思是DC仿真不对,tran仿真对吗?有点感觉是运放的输入输出电压范围的问题。
发表于 2019-3-6 10:20:52 | 显示全部楼层
把电源VDD从直流电压源变成了斜坡上升的电压源 改变不同的上升斜率能一定启动么
发表于 2019-3-6 10:55:01 | 显示全部楼层
启动电路左边NMOS gate的电压是float的?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

×

小黑屋| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-3-29 09:06 , Processed in 0.030514 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表