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查看: 2871|回复: 6

[求助] SRAM预充电是所有bitline都预充还是只有部分预充?

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发表于 2018-4-8 20:02:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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比如一个256word*128bit的阵列,8位进行存取。每个cell连两条bitline,在读数据的时候是:1)所有128*2条bitline都预充,然后再用选择器选出8个数据来
2)只有被选中的8*2条bitline进行预充,剩下的所有bitline都不进行预充
是以上两种情况的哪种呢?
另外SRAM的动态功耗主要产生于哪部分呢?是bitline的预充电、灵敏放大器、字线驱动还是解码器部分呢?我感觉应该是bitline吧,因为一条bitline上挂载了太多的单元,负载比较大?
发表于 2018-4-10 14:10:23 | 显示全部楼层
应该是第二种情况 选中的预充
发表于 2018-4-25 16:29:52 | 显示全部楼层
應該是所有bitline都预充. (for speed consider)
动态功耗主要产生在灵敏放大器&bitline的预充电.
灵敏放大器是一直耗電,bitline充电完就停了.
发表于 2018-4-25 16:31:08 | 显示全部楼层
應該是所有bitline都预充. (for speed consider)
动态功耗主要产生在灵敏放大器&bitline的预充电.
灵敏放大器是一直耗電,bitline充电完就停了.
发表于 2018-4-26 08:22:20 | 显示全部楼层
被选中的wordline會打開同列cell,
若沒选中的bitline不进行预充,
同列沒选中bitline的cell, 會對bitline流電流
其內資料可能被翻轉
发表于 2018-4-26 08:48:11 | 显示全部楼层
回复 1# wjxh950210

当然是全部预充,没有被sensor读的bl会被sram拉偏,必须每次读写操作完进行预充避免对下次操作产生影响。
发表于 2024-3-16 16:35:08 | 显示全部楼层
是全部要预充,确保下次读写前预充好
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