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[求助] bandgap模块

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发表于 2017-9-27 09:39:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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bandgap模块中的三极管一般是用PNP、还是NPN,依据是什么,较多的模块都是采用PNP,有什么优点?
 楼主| 发表于 2017-9-27 15:23:22 | 显示全部楼层
顶一下
发表于 2017-9-27 22:00:37 | 显示全部楼层
PNP在以P-SUB为衬底的硅片上容易做
发表于 2017-9-27 22:01:21 | 显示全部楼层
PNP在以P-SUB为衬底的硅片上容易做
发表于 2017-9-27 22:01:48 | 显示全部楼层
回复 1# 每天甩油的猪


   PNP在以P-SUB为衬底的硅片上容易做
发表于 2017-9-27 22:02:53 | 显示全部楼层
回复 2# 每天甩油的猪


   PNP在以P-SUB为衬底的硅片上容易做
发表于 2017-9-28 14:22:22 | 显示全部楼层
先要了解PNP和NPN的工艺结构,一般的CMOS工艺做成PNP管相对来说容易实现,而NPN则需要额外的WELL,必然增加了成本。
 楼主| 发表于 2017-9-30 13:49:39 | 显示全部楼层
回复 7# fashion612


   我可以理解为PNP的三极管,比如说由内到外的分别是E(P+)、B(N+)、C(P+),E和B是做在N阱内的,最外层的C(P+)是相当于psub,可以和接地的psub共用吗?但是如果C不接地电位,还是需要做一道隔离吧?NPN的三极管,最外侧是N+,也会加一道NW的层次,外面直接就是psub了,您说多做阱和少做阱的情况具体在哪里体现,能不能说详细些,我理解的不一定正确,希望有大神指正。
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