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查看: 7495|回复: 7

[求助] 下面我又有问题了,关于SRAM的地址线与数据线,请看图,简单。

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发表于 2017-9-14 10:36:43 | 显示全部楼层 |阅读模式

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捕获.PNG
什么是行列地址共用?太难理解了。
数据线是32位,肯定是没有异议的。
接着高潮来了,数据线是多少位,怎么个共用法?你们能从这个图里看出来吗?
 楼主| 发表于 2017-9-14 10:50:26 | 显示全部楼层
下面看这款芯片的容量。说明书中写为2Meg*32*4banks ,计算出来的话是256M,这个应该没有疑问吧。
BA0-BA1,正好能表示4个bank,没的说。
数据位32位没的说。
A0到A11,12条地址线,2^12=4M,所以,到底是怎么回事。
我方了,大神各个解释吧,实在是不想看数据手册,学不到知识,还是交流理解的会更好。
 楼主| 发表于 2017-9-14 11:03:20 | 显示全部楼层
下面计算芯片容量,2^(2bank+12行+x列)*32=256M=2^8*2^10=2^18,
所以,列复用了6个行地址。不知道我的理解对吗?
关于复用这一块我不太清楚,一团浆糊。
 楼主| 发表于 2017-9-14 15:38:41 | 显示全部楼层
没有人给讲一讲吗?小弟学东西,全靠这个论坛,都没有人交流,一个人学实在是辛苦,感觉像闭门造车。真是所谓独学而无友,则孤陋而寡闻。
发表于 2017-9-15 09:37:25 | 显示全部楼层
这是标准的sdram接口,active的时候使用bank地址和行地址,读写的时候再配合列地址,请看该芯片的datasheet
发表于 2017-9-15 09:45:23 | 显示全部楼层
数据位32bit的话,256m分4个bank,每个bank寻址范围2m就够了,没毛病。
发表于 2017-9-15 13:29:58 | 显示全部楼层
DRAM在EDO年代容量小,所以位址線是序列式,就是單一指向記憶體位置。如64K容量的話,位址線就是16條。
但是在進步到SDRAM後,相對容量也變大,如果還是採用單一指向,那位址線IO會越來越多,便改用矩陣式。分成列(ROW),行(COLUMN)來指向記憶體位置,而位址線IO採共用式,以控制線 RAS, CAS,來選擇代表ROW或COLUMN的信號。另外再以BANK信號來選擇不同矩陣的記憶體。
另外記憶體的容量,在製造商與使用者會有不同,通常要看標示的b或B來分。廠商所標示的容量通常是指位元數(b),如64Mb,是指64Mbits容量,如果輸出DATA(DQ)是8位元,在使用者會說是8M Bytes。這個常看就會更了解。
 楼主| 发表于 2017-9-16 20:27:59 | 显示全部楼层
@whz7783478,@t28user
谢谢你们的回答。非常有用,我感觉我的理解又进了一步。
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