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[求助] MOS dummy的L一定要和器件L一样大吗 ,L可以小一些吗??????

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发表于 2017-9-7 14:25:57 | 显示全部楼层 |阅读模式

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MOS dummy的L一定要和器件L一样大吗 ,L可以小一些吗??????
发表于 2017-9-7 15:04:53 | 显示全部楼层
可以的
发表于 2017-9-7 15:38:45 | 显示全部楼层
大工艺问题不大 小工艺可能有sti效应的影响 希望离边界远点。比较重要的mos 还是希望一样
发表于 2017-9-7 15:44:05 | 显示全部楼层
可以小一些,但是宽必须一样
发表于 2017-9-8 11:58:21 | 显示全部楼层
可以小些
发表于 2017-9-9 08:57:51 | 显示全部楼层
不需要!dummy是为了保持刻蚀时候一致性,sti或者wpe在阱边缘再考虑
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