求指点rnwaa这种n阱电阻的注意事项

zhaoguang1987 · 发表于 2017-7-20 15:57:40

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前端采用了rnwaa这个n阱电阻，工艺是smic0.18um，请问大家画的时候有没有什么要注意的地方，这种电阻会漏电吗？

Snowy2016 · 发表于 2017-7-20 16:58:41

本帖最后由 Snowy2016 于 2017-7-21 10:25 编辑

像这种有源电阻（NW、PW、ACT等）要注意well电位，避免寄生的PN结順偏导致漏电；还要注意PN结压差不要超过能承受的范围，以免break down；周边的环境的也要注意，根据实际情况分析是否有latch-up的风险。

存在感 · 发表于 2017-7-20 17:08:33

本帖最后由存在感于 2017-7-20 17:11 编辑

一般情况下井电阻加接地的隔离环都不会有太大问题，如果出问题一般在ESD 或者电路中有出现负电压的的情况下会有出现漏电，严重的会出现栅锁。所以一般情况下IO 部分的器件很少用井电阻，除特殊需求外。另外如果电路工作时有负电压出现或者外部测试时会有负电压引入的最好要避免用井电阻，可以考虑用高阻的poly电阻代替或者mos,如果非要用就要加隔离环还有加大到其他器件的距离或者放到独立的深井里面。
代问候一下你们designer 黄工和layout 朱工。

zhaoguang1987 · 发表于 2017-7-21 10:07:54

回复 2# Snowy2016

好的，谢谢大佬！

zhaoguang1987 · 发表于 2017-7-21 10:08:32

回复 3# 存在感

谢谢大佬啊！

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