MOS管上的gate可以打孔么？

xiaoyunbaixue · 发表于 2017-5-26 16:13:08

回复 1# 叶落

这是严格禁止的

kevin_l · 发表于 2017-5-26 16:13:31

某些工艺确实支持这样的做法，增加了阻挡层

kevin_l · 发表于 2017-5-26 16:14:56

回复 11# xiaoyunbaixue
不是所有工艺都是禁止的

叶落 · 发表于 2017-5-26 23:28:11

回复 10# kevin_l

感谢大神回帖，get了新技能，开心，赞！！！

m13728838513 · 发表于 2017-6-23 18:00:05

回复 6# kevin_l

我现在也看到一个这样的照片，百思不得其解，现在懂了，谢谢

但还是想问一下，是nmos和pmos的gate上都允许打cont吗？可以为什么只有一两个管子是这样画的，其它管子还是伸出来在poly上打孔，这样不是没有省到面积吗？能弱弱地问一下是哪家工艺这么牛吗

watereva2 · 发表于 2017-6-24 00:49:48

看工藝決定可不可以,如果DRC , LVS 報錯,就不行!

kevin_l · 发表于 2017-6-24 10:07:48

回复 15# m13728838513
是的，NMOS PMOS gate都可以打孔，但是只在特定区域才这么做，那个区域集成度相当高，其他区域还是在active外打poly ct，因为会减少成本，至于工艺线不好明说，涉及到专利的

m13728838513 · 发表于 2017-6-26 13:40:57

回复 17# kevin_l

好的，非常感谢！

strong_2020 · 发表于 2017-7-8 17:31:27

这要看工艺，只要在poly和diff中间加一层隔离层就可以

戴上面具做人 · 发表于 2017-7-8 18:18:07

回复 3# maomao198477

请教下在里面打孔为什么会把gate和active连起来呢，active在poly下面，contact在poly上面，poly和active之间还有栅氧隔开的，怎么会连在一起？

[求助] MOS管上的gate可以打孔么？