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[求助] MOS管上的gate可以打孔么?

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发表于 2017-5-25 21:22:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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比如一个大一点的MOS管,我的gate连接metal的contact可以打在管子内部么?就是在active内部,会不会有沟道产生呢?还是只能打在gate边缘。
发表于 2017-5-25 22:45:14 | 显示全部楼层
沟道上打孔 DRC 会报错吧
发表于 2017-5-25 22:45:37 | 显示全部楼层
在里面打 不就 把POLY 跟ACTIVE 接起来了?
 楼主| 发表于 2017-5-25 23:14:28 | 显示全部楼层
回复 2# zoujunlin

就是在active上的大块gate上打,但我也是觉得好像是会形成沟道哈
 楼主| 发表于 2017-5-25 23:17:32 | 显示全部楼层
回复 3# maomao198477
好像是的,active gate contact metal重合在一起确实会把active和gate连接在一起
发表于 2017-5-26 08:58:12 | 显示全部楼层
首先解释一下一个误区,一般的工艺TSMC,SMIC,CSMC等等是不允许在active区域和poly交叠区域打polyCT孔的,即沟道形成区域打孔,因为这样会把active和栅极短接,造成短路 ,但是在一些特殊的工艺线中会存在poly CT打到active区域,他们中间会有一层阻挡层,为了节省面积和节约成本,他们会加一层阻挡,让二者不产生连接性,我现在用的就是这样的
发表于 2017-5-26 15:32:10 | 显示全部楼层
你这个想法很大胆哦。
发表于 2017-5-26 16:04:12 | 显示全部楼层
你试试ct打在中间位置,DRC和LVS的时候有惊喜~
发表于 2017-5-26 16:04:51 | 显示全部楼层
肯定短路
发表于 2017-5-26 16:11:12 | 显示全部楼层
先确定你的工艺,一些常用的工艺如CSMC,SMIC,TSMC等这样打孔肯定会出现POLY和ACTIVE短路的情况,并且DRC LVS肯定报错,但是在一些特殊工艺线还真就存在这种POLY孔放置于active内部的情况,并且不会造成短路,DRC LVS也不出现问题,是因为这种工艺线在POLY与active中间有做了一层隔离层(阻挡层),为了减少面积节约成本,还真的可以这样做,本人现在用的工艺就支持这种情况!
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