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[原创] FinFet PDK 与目前的PDK有哪些大的区别?

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发表于 2017-3-10 10:06:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

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FinFet 目前有PDK吗?PDK有什么大的区别?
发表于 2018-9-14 18:01:20 | 显示全部楼层
2D与3D结构差异还是蛮大
发表于 2018-9-16 17:53:09 | 显示全部楼层
对double pattern的支持就是很大的一个区别。

另外,抽寄生方面要难很多,因为double pattern会造成层之间的shift;而且之前CT层由一层光罩变成4层光罩,中间层的寄生抽取现在单独独立出来了。
发表于 2018-9-19 00:36:12 | 显示全部楼层
thank you for sharing
发表于 2018-11-12 09:18:58 | 显示全部楼层
回复 3# andyfan


    请问能说明详细点吗?FINFET D/S 用SIC/SIGE的原因?
发表于 2018-11-13 16:03:48 | 显示全部楼层
回复 5# bella427


    应力啊,利用stress提高迁移率。P管用SIGE不是FIN开始的(14/16nm),40G的工艺就已经开始在用了(40LP还没有),28则是所有工艺都在用。
发表于 2019-5-17 16:30:13 | 显示全部楼层


SIGE增强沟道空穴的迁移率,SIC增强沟道电子的迁移率。原子半径: Ge>SI>C
那么SI中掺杂Ge,相当于丢颗石子(Ge)到沙子(SI)中,对外会膨胀(压应力), 在S/D区域外延SIGE,那么SIGE对channel就会有压应力,channel中的SI原子间距变小,就提高了空穴的迁移率。
SIC反之。
发表于 2020-10-28 11:15:00 | 显示全部楼层


lijie5992373 发表于 2019-5-17 16:30
SIGE增强沟道空穴的迁移率,SIC增强沟道电子的迁移率。原子半径: Ge>SI>C
那么SI中掺杂Ge,相当于丢颗石 ...


SiC 怎么提高 电子迁移率,帮忙解释下,不好理解,多谢
发表于 2020-10-28 15:14:34 | 显示全部楼层


Tonyhai 发表于 2020-10-28 11:15
SiC 怎么提高 电子迁移率,帮忙解释下,不好理解,多谢


Source/Drain 区域的部分SI原子换成C原子后,因为C原子比SI原子小,所以Source/Drain 区域会收缩,从而导致Source/Drain中间的沟道区域收到拉应力--> 电子迁移率增大

发表于 2020-10-29 08:56:44 | 显示全部楼层


lijie5992373 发表于 2020-10-28 15:14
Source/Drain 区域的部分SI原子换成C原子后,因为C原子比SI原子小,所以Source/Drain 区域会收缩,从而导 ...


多谢。

再细问下:

(1)压应力 对 空穴迁移率是正向 提升
(2)拉应力 对 电子迁移率 却是正向提升

这是由什么决定的 ?
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