同步BUCK OVP 烧芯片

silverpuma · 发表于 2016-8-1 14:52:26

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本帖最后由 silverpuma 于 2016-8-1 14:55 编辑

同步BUCK结构如图，两个HVNMOS管。芯片内部加了一个OVP功能，当FB>1.1*VREF时，强行把上管关断，下管打开，让输出放电。
直到FB<VREF时，又进入正常环路控制状态。
每次只要触发这个OVP功能，芯片必烧，而且烧的是两个HVMOS管，不知道是什么原因？

另外我单芯片测试，触发OVP状态，HVMOS管倒是没有烧，只是芯片内部电路烧得乱起八糟的，不知道有人遇到过么？
或者说BUCK的OVP这个功能改如何控制比较好？

Kevin_Yang · 发表于 2016-8-1 15:43:55

输入电压多少？输出电压多少？下管的倒灌电流阈值是多少？

mikeppq · 发表于 2016-8-1 15:45:39

有没有可能在OVP的时候，上下管同时导通了

silverpuma · 发表于 2016-8-1 16:24:24

回复 3# mikeppq

有可能，我改过一次版，特意把有可能出现同时导通的逻辑给调整了一下。但是结果还是和上一版本一样，单测芯片的时候，只要OVP了，芯片就无法还原。开盖看，功率MOS管没有问题，倒是芯片内部电路很多metal线都烧段了，还有地线、电源线。而且烧线的地方每颗还不一样。
如果我在芯片的电源上面串个1K的电阻，就可以恢复了，因为限流了。 OVP之后，电源就被拉得很低了

silverpuma · 发表于 2016-8-1 16:26:28

回复 2# Kevin_Yang

输入电压24V，输出电压5V/3A。当负载从3A跳变到100mA的时候，会触发内部OVP的功能，芯片就会烧了。上下管都是5V vgs的LDMOS。

math123 · 发表于 2016-8-1 16:50:41

本帖最后由 math123 于 2016-8-2 09:58 编辑

可能在OVP这段时间内，电感电流从正值变到0，然后变为负值，在FB小于VREF后，关断下管，但是这时候有个死区时间上管还没导通，所以SW点的电压冲得很高，SW点电压比vin高，从上管的衬底P+接触反灌进上管的NBL，和其它地方layout的p+形成pnp，引起latchup，这个过程或者在仿真中能够看到。

另外，在芯片正常负载工作的时候将EN=0没问题吧，是什么动作啊，上下管一起关断？OVP和这个动作一样行不？

mikeppq · 发表于 2016-8-1 17:27:11

是否高压管子性能不行？实测一下下管能承受的电流和电压

vincentwjw · 发表于 2016-8-1 23:22:25

mark学习一下

magicdog · 发表于 2016-8-2 02:03:51

是bonding的分立的hvnmos？

Kevin_Yang · 发表于 2016-8-2 09:38:53

可以用示波器抓点波形出来分析，LX，电流探头抓电流，输出电压，输入电压波形，注意触发条件；

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