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查看: 2310|回复: 4

[求助] 反相器放电电流的计算

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发表于 2016-4-29 17:03:42 | 显示全部楼层 |阅读模式

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设计了一个反相器,输入一个方波信号,上升和下降时间给的1ns;                                                                      问题:在输入信号上升过程中,我取一个点,保证NMOS工作在饱和区,根据饱和区的模型计算漏端的电流是仿真的漏电流的2倍左右,不知道问题出在哪了,还请大神指教
发表于 2016-4-29 20:03:23 | 显示全部楼层
帮顶,仿真模型 和 计算模型一样吗

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职位:模拟IC设计部门主管

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发表于 2016-4-29 23:38:53 | 显示全部楼层
其中一個原因是:
MOS饱和区的模型會准是在MOS Long Channel 時,
即 L等於大於 1um,
如果是short channel MOS,
饱和区的模型只可以近似,
手算鐵定跟仿真的值不一樣.
 楼主| 发表于 2016-4-30 09:14:50 | 显示全部楼层
回复 3# billlin

我单独仿真管子的时候,根据print出来的β,利用长沟近似公式1/2β(Vgs-Vth)^2,计算结果与仿真结果十分接近;   现在问题是反相器输出放电过程中计算的电流与仿真电流偏差太大
发表于 2016-4-30 12:50:05 | 显示全部楼层
Reference:
Inveter_DC_Transfer_Characteristic.pdf (107.57 KB, 下载次数: 52 )
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