为什么这个管子内阻可以小到50ohm？

awpgodm · 发表于 2015-12-14 21:13:45

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fightshan · 发表于 2015-12-14 22:39:57

如果想要 5欧姆也可以啊只要拉大管子尺寸就行了

typhoon222 · 发表于 2015-12-15 10:39:05

如果想要 5欧姆也可以啊只要拉大管子尺寸就行了
fightshan 发表于 2015-12-14 22:39

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MOS管直流内阻的典型值是多少啊？

typhoon222 · 发表于 2015-12-16 09:21:30

如果想要 5欧姆也可以啊只要拉大管子尺寸就行了
fightshan 发表于 2015-12-14 22:39

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mos管的直流电阻怎么算呢？

fightshan · 发表于 2015-12-16 18:17:37

MOS管直流内阻的典型值是多少啊？
typhoon222 发表于 2015-12-15 10:39

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多看看书，多仿真电路，等见识多了可能你就发现没有典型值这种说法了，比如说，我以前认为一个管子饱和的话它的ron通常可以到几千欧姆以上，这也是教材上说的一个晶体管本征增益可以达到几十的原因，但后来我做了一个电路，因为要对大信号快速响应，它的摆率就要做到很大，大到我们吃惊的程度，因为一个管子流过几毫安以上的电流，它尽管还是sat的，但ron降到了只有几十欧·········

semico_ljj · 发表于 2015-12-16 22:01:41

回复 15# fightshan

赞同此观点

countersr · 发表于 2015-12-16 23:01:15

感觉这不是仿真的事，是想清楚这个Ron是交流的阻抗还是直流电阻，认为它有几十千欧姆，是认为Ron是交流阻抗吧，那饱和区时就应该很大吧。如果Ron是直流电阻，这个改变工作点可以在很大的范围内变化

andy2000a · 发表于 2019-7-10 09:18:53

Mos 低压 rds_on 很小, 做 USBswitch rds =25m Ohm ..对就很小, 光 bonding wire ~100mOhm 大 .

一般来说 mos rds 动态. 所以跟loading会有关. 拿 USBswitch 要求 I=1A

压降 <25mv . 所以要求就 25m . 不过一般设计 20~50m Ohm . 很大的低压MOS超大. Bondingwire 须打很多线

[求助] 为什么这个管子内阻可以小到50ohm？

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