GF55nm工艺阈值电压

yunyi009 · 发表于 2015-5-15 12:08:12

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最近在用GF55nm工艺设计电路，在1.2V电源电压下，发现正常的MOS管的阈值电压在0.55V左右，而且工艺库中提供的低阈值MOS管的阈值电压也有0.5V，这正常吗？

yunyi009 · 发表于 2015-5-15 14:39:51

自顶。。。

semico_ljj · 发表于 2015-5-15 14:54:04

回复 1# yunyi009

低阈值一般只有0.35-0.4，有的甚至0.3左右， 90nm以下工艺

yunyi009 · 发表于 2015-5-15 16:55:33

回复 3# semico_ljj

对啊我也觉着应该是这样可是对于这个工艺来说，采用最小尺寸晶体管时，120n/60n，阈值电压在0.5以上，但是如果尺寸增大到了um级，例如2u/1u，阈值电压就降到了0.4左右，难道尺寸对阈值电压的影响有这么大吗。。。

fuyibin · 发表于 2015-5-16 15:32:19

要区分gp工艺还是lp工艺，55nm 1.2V power supply应该是low power 工艺，Vth高一点是正常的

sofie · 发表于 2016-4-22 15:58:39

回复 5# fuyibin

我最近也在用umc55nm lp 工艺，发现他的vth真的很高，感觉不应该呀，这么大的公司。比smic130 的还大。

恶魔法则1 · 发表于 2016-4-22 16:41:41

Very reasonable and useful. Thank you so much!

hufeng1029 · 发表于 2016-7-29 20:59:37

坐等答案！！

semico_ljj · 发表于 2016-7-30 09:40:14

回复 1# yunyi009

不可能这么高

Desingman · 发表于 2018-5-29 17:19:34

不可能这么高

[讨论] GF55nm工艺阈值电压