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[求助] 各位大神请问一下有人在PAD下面放过NT-N层 进行隔离不?

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发表于 2015-1-8 16:40:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
100资产
各位大神请问一下有人在PAD下面放过NT-N层 进行隔离不?

发表于 2015-1-8 16:49:37 | 显示全部楼层
我放过啊
 楼主| 发表于 2015-1-8 16:57:55 | 显示全部楼层
具体是怎么放的呢?有撒影响?
发表于 2015-1-8 17:05:07 | 显示全部楼层
回复 3# 20062563
我是NWELL +NTN+PTAP 围的, pad over driver 。
 楼主| 发表于 2015-1-8 17:25:59 | 显示全部楼层
回复 4# li5452859


你是用NWELL +NTN+PTAP 围的器件,然后PAD over 器件上面的?Non—CUP 的PAD呢?PAD 金属层下面布满NT-N 的layer...
发表于 2015-1-9 15:37:18 | 显示全部楼层
回复 5# 20062563


   没有放过 native layer,一般下面就是 poly&ative。
 楼主| 发表于 2015-1-9 17:11:59 | 显示全部楼层
回复 6# li5452859


   嗯嗯...谢谢你的回答!
发表于 2015-2-25 11:54:38 | 显示全部楼层
可以放
但是要記得接電位喔
发表于 2015-5-22 08:06:49 | 显示全部楼层
回复 1# 20062563


   NT-N是个啥东西?
发表于 2015-5-22 08:41:51 | 显示全部楼层
回复 9# leo2leo


    NT-N 是那类缩写 ?

一般 cup (circuit under Pad) 以前试过,  在打 esd 会不少问题  shuttle 可是量产会出问题
後来最多pad 下放 电容类

有人在量产的chip
bonding pad下放过mos 内吗 ?
SIGNAL SENSING BY THE ARCHITECTURE OF EMBEDDED io pad_circuit under pad.pdf (924.72 KB, 下载次数: 166 )
US5751065 Integrated circuit with active devices under bond pads.pdf (550.38 KB, 下载次数: 138 )
Active Device under Bond Pad to Save I O Layout.pdf (467.41 KB, 下载次数: 182 )
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