仿真值和流片值的差异会有多少

silverpuma · 发表于 2013-11-14 14:56:32

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CMOS 5V 0.5um的工艺，做了一个PMOS功率管，Id=2A，Vgs=3.7V，在常温下仿真，Rdson=33mohm。

没有提取寄生的参数进行后仿真，那么最终流片出来的这个PMOS功率管的导通电阻会变大多少？一般是个什么倍数级别的？（不考虑封装，只考虑晶圆）

silverpuma · 发表于 2013-11-15 09:23:21

再顶一下，求高人指导啊。

bananawolf · 发表于 2013-11-15 11:06:49

放心，应该是一样的

hszgl · 发表于 2013-11-15 12:09:13

我觉得你应该转换一下思路，你想知道Rdson应该是为了知道这个管子消耗的功率从而计算发热量吧？如果是这样的话你不妨关注电流通路上其他地方更大的电阻所造成的发热，关注主要的点。
或者直接用红外测管芯温度。

semico_ljj · 发表于 2013-11-15 12:28:37

Rdson=33mohm 是LDO还是DCDC？
导通电阻还是从负载上去考虑比较好

silverpuma · 发表于 2013-11-15 14:12:03

回复 4# hszgl

就是这个通路上面的电流最大。PMOS管一端接电源，另一端接电阻，电阻在芯片外面。

其实我就是想知道仿真值和流片值的区别到底有多大？

因为现在老有人在耳朵边唧唧哇哇的说PMOS管的导通电阻最多只能做到120mohm，面积再大也不行，不晓得这个值是怎么出来的。

silverpuma · 发表于 2013-11-15 14:13:21

回复 5# semico_ljj

没有电感的BUCK+LDO，电流通路就是一个PMOS管+一个电阻负载。

silverpuma · 发表于 2013-11-15 14:14:03

回复 3# bananawolf

不用考虑MOS管自身的走线电阻么？用了三层metal。

hszgl · 发表于 2013-11-15 14:15:18

回复 6# silverpuma

关于最小导通电阻是多少这个是从器件级的研究来的。搞这种研究的设备就非常复杂，不是一般公司handle的了的。我的意思是你的电流通路中，可能via之类的接触形成的电阻就已经大于33mohm了。所以管子不是主要的。

silverpuma · 发表于 2013-11-15 14:18:36

回复 9# hszgl

恩，的确是这么回事。那麽样优化走线以及接触孔的，来降低电阻值呢？或者说有什么方法可以仿真出来或者评估出来的？

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