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[讨论] Vds至少要比Vdsat大多少才保险呢?

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发表于 2013-7-10 11:43:38 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 MOSBJT 于 2013-7-10 11:46 编辑

一般来说,Vds至少要比Vdsat大多少才保险呢?求高手指教!!!
发表于 2013-7-10 19:17:18 | 显示全部楼层
Vds-Vdsat越大表明Transistor 离linear region越远。一般可以这么理解, 一般都是在Gate和source形成一个channel,也就是Vgs-Vth>0,Vgd-Vth<0。 这样子的话这个transistor就在saturation region。 如果你Vds-Vdsat<0的话,就是Vgs-Vth>0而且Vgs-Vth>0 就是在Gate和Drain也有有一个channel。这样子就在linear region。至于要多大保险。你可以用monte carlo simulation 测试一下。 mismatch和process variation 会改变Vth。如果Vds-Vdsat 太小的话可能会让transistor在linear region。
发表于 2013-7-10 20:23:10 | 显示全部楼层
回复 2# yeyepig101


   难道是ye局 ?
发表于 2013-7-11 16:44:29 | 显示全部楼层
格雷书介绍大概100mV以上吧.
个人觉得工艺和实际电路不同,可能差异比较大。但有电压空间的话,取大点安全
发表于 2013-7-11 18:06:10 | 显示全部楼层
If the transitor appears in the small signal model of an amplifier and is required to contribute to the DC gain of the amplifier, the best Vds is about 2 or 3 times greater than Vov. In my study about 2id/gm methodology, I find the intrinsic gain of a transistor only relates to the L and the ratio K of Vds and Vov (or V* mentioned in EE240 from UCB), and only when the ratio reaches to 2 to 3, there is a certain intrinsic gain of a transistor.

Fig. 1 shows the relationship between the intrinsic gain and the ratio K as well as L, which could prove the above arguments. All data are mesured in TSMC 130nm technology.

Note that the expression of DC gain of a amplifier could convert into the expression of the correspondent intrinsic gain of Mosfets, which could be found in EE214 from stanford.

ngmro.bmp

Copyright 2013 by Joyshockley.
发表于 2013-7-11 19:14:24 | 显示全部楼层
学习一下
发表于 2013-7-11 21:43:06 | 显示全部楼层
80mV以上
发表于 2013-7-11 22:20:52 | 显示全部楼层
这个值的选取与 Vdd 和 Lmin 也有关系吧。
发表于 2013-7-12 12:20:28 | 显示全部楼层
如果是用在 bias 上, 就看你能接受的輸出電流變異量有多少
因為 vth 在變, vdsat及電流跟著變, gain也就會變
在ADC設計上這很重要
 楼主| 发表于 2013-7-13 17:40:36 | 显示全部楼层
回复 7# semico_ljj


  最差工艺角下也得这么大吗?
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