THD受密勒电容影响

fj4245 · 发表于 2013-5-29 21:57:15

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本帖最后由 fj4245 于 2013-5-30 17:41 编辑

我现在在调一个class AB，遇到了一个很奇怪的问题，在电路中我采用了floating voltage来偏置输出管，我发现跨接在输出PMOS管上的密勒电容会降低低输出电压（输出电压为0.8V）时的THD，而跨接在输出NMOS管上的密勒电容会降低高输出电压(输出电压为2V)时的THD，(密勒电容越大对应的thd越低)。这是为什么呀？或者说是密勒电容会影响哪一种因素，而这种因素又影响了THD？

kwankwaner · 发表于 2013-5-30 09:54:06

回复 1# fj4245

C越大带宽越小，谐波衰减的越多

gaojun927 · 发表于 2013-5-30 11:05:19

回复 fj4245

C越大带宽越小，谐波衰减的越多
kwankwaner 发表于 2013-5-30 09:54

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方向不对吧。谐波是需要带宽内增益抑制的，带宽越小谐波应该越大才对，另一方面，电容越大，sr要求越大，更容易产生谐波。

mcgrady · 发表于 2013-5-30 11:31:06

电容是MOS电容还是其它电容？ OP带宽多少？信号频率多快？

fj4245 · 发表于 2013-5-30 12:26:08

回复 4# mcgrady

电容就是密勒电容，带宽有7M左右，信号频率是10K的。

fj4245 · 发表于 2013-5-30 12:29:23

回复 3# gaojun927

为什么SR越大，越容易产生谐波呢？那我是不是要把GBW给调小，那SR就小，谐波就小？

xushuainju · 发表于 2013-5-30 12:33:21

回楼上，GBW调大，SR+Settling time 变小，然后谐波就小。

xushuainju · 发表于 2013-5-30 12:48:26

关于楼主的问题，我猜啊。首先在低频段的THD受带宽的影响不大；然后，当频率点附近有pole和zero时，THD好像会相比较稍差一点，你加大的MILLER电容效果可能使你测量的频率点离POLE和zero的距离相应增大了一点。还有一点，不知道你用的哪个仿真工具，以HSPICE为例，.FT0 file和.lis 中的fft结果略有区别，不同的time step, time window也有区别，就是说所谓的变好可能只是误会。猜错勿怪！

gaojun927 · 发表于 2013-5-30 12:48:37

回复 6# fj4245

先说你的现象是否符合传统的解释。如果符合，那增大电容等于减小slew能力，slew成分越多，非线性成分越多，谐波成分就越多。

gaojun927 · 发表于 2013-5-30 12:51:57

回复 9# gaojun927

看你的描述，反而是电容越大，谐波越少，如果是这样的话，就不要考虑传统解释了，得考虑其他因素。

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