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查看: 6333|回复: 5

MOSFET的GIDL和BIDL效用

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发表于 2013-4-2 11:29:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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对于MOS器件尺寸减小,会带来短沟道效应。其中就有GIDL (gate induced drain leakage)和 DIBL(drain induced barrier lowering)。不知道在器件分析的时候,I-V曲线(Id-Vd和Id-Vg)出现哪种情况对应GIDL,哪种对应DIBL呢?不知道谁能帮助解答。
要是有图解就更好了,谢谢。
发表于 2013-6-27 16:46:08 | 显示全部楼层
DIBL 是看线性区和饱和区的阈值电压之差. 在栅漏电压比较大的时候GIDL比较明显

栅压为负时电流增大

栅压为负时电流增大
发表于 2013-6-27 16:47:41 | 显示全部楼层
……本来是看别人回复的……
发表于 2017-7-27 14:49:20 | 显示全部楼层
xuexi xuexi
发表于 2018-1-9 17:38:40 | 显示全部楼层
xuexi xuexi
发表于 2020-12-22 09:43:06 | 显示全部楼层
谢谢~
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