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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog Layout（版图） › Layout讨论区 › 什么叫做阱偏效应，如何解释？
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楼主: le_levi

[求助] 什么叫做阱偏效应，如何解释？

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Soulmate”C
发表于 2017-11-24 14:01:18 | 显示全部楼层
在离子注入制造工艺时，原子从掩模板的边沿开始扩散，在阱边附近的地方硅片表面变得密集，结果就是，阱表面浓度会随着距离掩模板的边沿的远近而有所不同，因此整个阱的掺杂浓度是不均匀的，这种不均匀造成MOS管阈值电压的不同，还有其它的电性能也有所不同，它会随着距离阱边距离的不同而不同，这种现象就是我们常说的阱邻近效应（WPE：Well Proximity Effect）[2]
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111wzy
发表于 2017-12-9 12:46:09 | 显示全部楼层
回复 20# lc137615061


   这是哪个文档？
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tricia
发表于 2017-12-11 10:18:50 | 显示全部楼层
了解了，工艺知识需要多学习
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soldierxfm
发表于 2017-12-16 22:06:50 | 显示全部楼层
回复 20# lc137615061
文件名是什么?
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hahaha1223
发表于 2017-12-20 17:31:21 | 显示全部楼层
回复 20# lc137615061


   求文档里的具体内容，让我学习学习，增长下见识，没做过这么小的工艺，不甚感激！！
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jiankang520
发表于 2017-12-29 11:38:28 | 显示全部楼层
学习了
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大佬
发表于 2018-1-11 09:57:35 | 显示全部楼层
谢谢，6楼讲解的很详细
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note30933
发表于 2018-1-11 13:57:22 | 显示全部楼层
看懂了，谢谢
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bjic
发表于 2018-1-15 16:22:40 | 显示全部楼层
主要是会使阈值电压不准
把井做大一些就好，赞同21楼
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ellaisbest
发表于 2018-1-16 14:16:38 | 显示全部楼层
蛋糕薄了（工艺先进了），斜着切，（注入），容易边界引起不一致性。从而导致各种效应。切在阱上是 wpe, 切在od上是lod 在poly上反映出来就是 pse
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