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[求助] 什么叫做阱偏效应,如何解释?

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发表于 2012-7-18 10:49:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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很想知道什么叫做阱偏效应,也即是WPE(well proximity effect),如何解释?曾经在40nm的TSMC工艺中遇到这个问题,一直不明白这究竟是怎么回事?
请大家给予解释,讲解一下原理,谢谢!
除此还有LOD(length of the OD region),OSE(OD space effect),PSE(poly space effect)等解释及原理。
发表于 2012-7-18 12:55:44 | 显示全部楼层
搜一下飞思卡尔那篇关于WPE的解释,主要是离子注入透过光刻胶散射的问题。
发表于 2012-7-19 11:07:26 | 显示全部楼层
注入一般是斜射的,因为晶格的关系。然后如果D或S的W或L太小,G的左边和右边会不对称,大概是这个意思
发表于 2012-7-27 16:58:47 | 显示全部楼层
还是没有人来解释,偶也不知道呀!那工艺接触不到,不了解!看后续有没有大牛来解决!
发表于 2012-7-30 17:46:09 | 显示全部楼层
LOD:搜索论坛会给你解释,已经很清楚了
还有,这些效应,工艺文档上会给出比较详细的解释;
如果还不懂,可以写出来,别人才好给你解释~~~
发表于 2012-7-31 16:15:16 | 显示全部楼层
wpe:在做阱时,阱掺杂离子在阱的边缘区域发生衍射(离子和光刻的二氧化硅边缘发生衍射),会有少量离子注入边缘的阱中,导致边缘的管子和里面的管子背栅掺杂不等,引起失配,解决方法 阱边缘 离有效 的管子 远一点, 可以 将dummy管子的 长度 做 的 大一点 , 还 可以 减小 sti效应
发表于 2012-8-1 10:48:54 | 显示全部楼层
复杂呀
发表于 2012-8-4 12:05:55 | 显示全部楼层
主要是与工艺有关
发表于 2012-8-4 18:33:02 | 显示全部楼层
回复 6# wenjian07  这个说的很清楚,我都能看懂了,谢谢啦
 楼主| 发表于 2012-8-6 09:39:55 | 显示全部楼层
6楼讲的不错,和我印象中的一样,只是那时不知道怎么回事,不晓得为什么。谢谢帮助
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