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楼主: WEN_AMY

[讨论] LDO设计的几个问题

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 楼主| 发表于 2012-4-28 09:52:43 | 显示全部楼层
回复 2# liuqingfeng2011

是的,我目前只是采用了最最最简单的经典结构,零极点的分析也是参考Ricon-Mora的那片博士论文学习的。因为记了笔记,看别的文章里说过,旁路电容Cb有个作用是减小瞬态特性里的那个delta Vesr的影响。不是非常地清楚,旁路电容基本就是滤波的作用,既然有输出电容了,再加旁路电容看着好像是有些多此一举
发表于 2012-4-28 09:53:04 | 显示全部楼层
回复 10# WEN_AMY

150uA到1mA的跨度并不大,dropout其实并不会有什么变化的;变化的大,那也就是调整管没有设计好。负载小,假如用很大的调整管,那就浪费面积了。
发表于 2012-4-28 10:20:58 | 显示全部楼层
学习了~
发表于 2012-4-28 14:57:57 | 显示全部楼层
如果你采用的是一级的运放结构,只要在取样电路中加入补偿电路即可实现稳定
如果采用两级运放,对于你的负载波动范围小,也可以通过在取样电路中选取合适的补偿就可实现稳定。
如果问题没解决,你可以把图上传到网上让大家帮忙分析分析
发表于 2012-4-28 15:08:14 | 显示全部楼层
上图吧,这样清楚一点
发表于 2012-4-28 15:13:20 | 显示全部楼层
我觉得你这个完全可以做个一级放大器+buffer驱动输出mos管,之后加些片上的电容做负载,就应该能满足一般的瞬态响应了。补偿用输出极点作为主极点,之后把放大器和buffer之间的极点,buffer和输出管的极点 都移到带宽之外。如果有困难,可以在第一个反馈电阻上并一个电容,做个零极点补偿。
毕竟你的这个电流范围很小,不会太复杂的,另外160uA的静态电流太大了,完全可以做到更低。
发表于 2012-4-28 18:02:02 | 显示全部楼层
既然你手上有好多paper,看下有没有这篇:A Capacitor_less Low Drop-out Voltage Regulator with fast Transient Response(2005Master Thesis, by Rebert Jon Milliken_Texas A&M University)和这篇Full On-Chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator(2007IEEE, by Robert J. Milliken等)。其实这两篇讲的是同一个电路,可以参考下,负载电流在0~1mA,这个电路是可以稳定的。

经典LDO在这个负载电流区间的稳定性似乎有点困难,原因是传输管的gm小。愚见!
发表于 2012-5-3 21:34:35 | 显示全部楼层
回复 1# WEN_AMY


    好
发表于 2014-10-27 17:48:26 | 显示全部楼层
回复 4# liuqingfeng2011


   求资料 万谢 zhengjinlong1988@126.com
发表于 2014-12-10 17:16:54 | 显示全部楼层
学习了
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