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楼主: math123

[求助] 为什么有的poly电阻layout上面用M1覆盖着啊?

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发表于 2012-2-24 09:03:36 | 显示全部楼层
Poly电阻上是否加屏蔽层M1金属,如何判断?见CSMC中rule建议poly电阻上加M1保护,但SMIC、TSMC中rule没有说明,求tsmc、smic中电阻是否加屏蔽层M1?
发表于 2012-2-25 23:53:58 | 显示全部楼层
因为器件在刻蚀的时候是处在一个强电场的环境中,这个环境中存在很多静电,之所以加个M1盖在电阻上是将静电吸收,然后再导入地!
还有一个原因是从氢化的角度来讲的!
发表于 2012-2-26 16:30:08 | 显示全部楼层
metal1和电阻周围的G-ring同电位,电阻好像被一圈同电位的包围起来,起到静电屏蔽的作用;坛子里还有人说过fab建议盖满metal1可以防止氢化对电阻上离子浓度的影响。
发表于 2012-2-26 21:42:57 | 显示全部楼层
回复 13# allen_tang


    那请问在电阻上直接加满了metal 1 不会导致在刻蚀metal 1时 氢化更加严重 啊,求解!(不是说电阻上不要走线就是为了防止氢化的影响啊)
发表于 2012-2-27 15:18:42 | 显示全部楼层
回复 14# ptadx


    这个我也很疑惑,没讲清楚,而且常用的UMC/TSMC design rule里也没有这条attention。
发表于 2012-2-27 18:04:41 | 显示全部楼层
如果电阻排列后面积占得很大,电阻上盖metal1也可以解决电阻区域metal1的density问题呀
发表于 2012-3-2 08:57:23 | 显示全部楼层
隔离噪声吧
发表于 2017-4-13 18:58:04 | 显示全部楼层
如果在poly上面加金属作为屏蔽,那么除了m1之外,其他金属行不行呢,有什么影响吗
发表于 2023-4-27 10:50:14 | 显示全部楼层


九品芝麻狐 发表于 2017-4-13 18:58
如果在poly上面加金属作为屏蔽,那么除了m1之外,其他金属行不行呢,有什么影响吗 ...


我也对这个有疑惑
发表于 2023-4-27 11:09:37 | 显示全部楼层


个人观点哈,我也不知道是否正确,希望大佬指正:

1、使用M1屏蔽,是因为在M1上或许可以走其他线,减小走线压力。
2、使用其他层次屏蔽,通过计算出金属对poly最小寄生电容的层次,能减小金属到poly之间的寄生电容。
希望大佬们指正,谢谢大家。
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