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楼主: B40514066

[求助] 有源区与扩散区的区别

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发表于 2015-10-29 17:19:45 | 显示全部楼层
学习了,之前没有仔细想过
发表于 2015-11-6 15:01:49 | 显示全部楼层
也来学习一下  我们这边就是diff  ppll npll 三种
发表于 2015-11-9 11:48:32 | 显示全部楼层
我是来学习的~
发表于 2015-11-11 16:36:52 | 显示全部楼层
4楼 的解释很牛啊
发表于 2015-11-22 17:03:11 | 显示全部楼层
回复 1# B40514066


   有源区就是在硅片表面的厚场氧上划出一块用作器件,也就是器件所在的区域,而N+,P+是用来制作源漏区的
发表于 2015-12-19 17:07:43 | 显示全部楼层
解释很好,逐渐看懂了,但还是没有弄懂diff和imp区的区别,看的好像imp区大于active区。diff是扩散区的意思吗,imp是离子注入的意思吗,如果是,这两个区域应该根据具体需要来确定区域,觉得没有区分的需要,倒是fox和active要区分好。
发表于 2016-4-17 02:20:16 | 显示全部楼层
谢谢分享
发表于 2016-4-21 14:49:51 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2017-3-4 14:40:44 | 显示全部楼层
有源英文是active,应该就是电流能流过的地方
发表于 2017-6-6 17:21:59 | 显示全部楼层
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