有源区与扩散区的区别

滴答滴 · 发表于 2013-7-18 16:41:02

回复 24# lixiaojun707

这样啊！

tvsz123456 · 发表于 2013-7-18 20:10:47

四楼说的很有道理

上帝同在 · 发表于 2013-7-18 23:13:24

其实，ACTIVE=DIFFUSION。IMPLANT因为对准误差，所以范围大于ACTIVE区。

aboyaboy · 发表于 2013-7-22 15:16:05

学习了

501940245 · 发表于 2013-7-23 12:07:51

其实，我觉得扩散区是指的imp层包裹的地方，有源区是poly下面覆盖的地方，所以他俩不是同一个概念！

farseeker · 发表于 2013-7-23 17:04:11

总结一下：

整个硅片表面分为两种区域：有源区 (active) 和场氧区 (Fox) [20楼]
有源区内，原来的场氧（厚）会被去除，形成栅氧（薄）[24楼]
有源区内，画好NP或PP的区域会分别注入离子，并分别形成N Diffusion和P Diffusion。[21楼] 两者合称扩散区 (implant) [24楼]
有源区外，即使画出NP或PP，离子也无法成功注入并形成Diffusion，因为厚场氧层隔绝了离子的注入 [22楼]

istart_2002 · 发表于 2013-11-12 16:32:20

总结一下：

整个硅片表面分为两种区域：有源区 (active) 和场氧区 (Fox) [20楼]
有源区内，原来的场氧 ...
farseeker 发表于 2013-7-23 17:04

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总结的真好~~~~

梦飘远方 · 发表于 2014-10-11 21:31:48

不懂唉

zhfxupt · 发表于 2014-10-17 09:50:54

我的理解是有源区的是用来打开imp的窗口，（其mask的作用主要是用来淀基STI层），扩散区主要是通过自对准进行离子注入。

dinggo · 发表于 2014-10-18 22:57:42

回复 4# L_ju

很到位了

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