有源区与扩散区的区别

B40514066 · 发表于 2011-8-5 20:48:40

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有源区与扩散区在版图中是同一块区域吗，我看到有的说扩散区是指N+ P+注入区？这两个有区别吗

realliu68 · 发表于 2011-8-9 16:48:57

我的理解，如果有错误请大侠指出

active和imp通常是不同的光刻版。
active通常在之前光刻，对应not(场氧区+gate区)，具体克参照DRC文件中的逻辑运算
imp是之后的离子注入，由于无法完全精确控制，通常open area要大一点。如果我理解没有错的话，最终imp要和active参加运算。
换句话说，尽管这2个在版图中并非一个层次，但实际在工艺上，他们所表现的都是一个区域。

acupoftea · 发表于 2011-8-9 17:15:06

这两个东东我也常常弄不明白；我理解的是active对应的是在非场氧的区域，对应氮化层覆盖的部分（是用作氮化物可是用的mask？），一般氧化层会薄一些，imp我和2楼看法一样。
不知道对不对，等高手指正。

L_ju · 发表于 2011-8-9 17:44:06

active 又叫diff ，又叫thin oxide，它对应于场氧，比较薄，目的是inp 扩散后足够薄的active的地方能有形成mos的条件，场氧的地方不会，poly 铺上去，经过active的地方因为氧化层薄，低压可以感应载流子，场氧因为厚，无法感应，所以mos的width 只算active区不算inp区。
所以把active 理解为氧化层的坑，inp理解为注入。（cont 和via 一样是氧化层的洞）

cxl666 · 发表于 2011-8-10 19:06:23

补充一下，与工艺有关系，像华虹.35就只有PP/NP,台积电的ACTIVE+PP/NP等。

terry8876 · 发表于 2011-8-10 21:43:01

4楼说得有道理！

dqyang · 发表于 2011-8-11 12:53:27

学习学习

dendeicide · 发表于 2011-8-11 13:41:07

原來如此，大大們講得真是詳細。

lxboo · 发表于 2011-8-23 11:14:04

学习来得

鱼沐晨风 · 发表于 2011-8-23 11:57:42

个人理解为版图层次上的两个定义，有源区就是为做集成器件所设定的区域，扩散区的话就是做具体器件结构时所需的注入区域

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