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[讨论] 高压CMOS的工艺因子belta

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发表于 2010-7-19 13:13:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在做高压cmos电路,高压mos的belta值较平常的低压工艺的mos器件要低,大约十分之一左右,这样在做放大器时,采用高压mos时器件的尺寸就非常大,不知哪位高手遇到同样的问题,怎么解决的?
另外,不知哪位高手有采用高压mos工艺做LDO的经验?请不吝赐教!谢谢!电源电压在5~30V之间
发表于 2010-7-19 22:26:04 | 显示全部楼层
mos还有beta值?
发表于 2010-7-20 08:41:17 | 显示全部楼层
belta or beta?
发表于 2010-7-20 11:13:47 | 显示全部楼层
1# albert_eetop
刚design完一个高压cmos ldo,正在总结中...
二三楼的,mos的beta是1/2u*cox*(w/l),ids=beta*(vgs-vt)^2, 由于beta表征过驱动电压(vgs-vt)和ids的关系,所以beta值称为跨导因子
高压cmos放大器没什么特别的,只是管子的mismatch大
 楼主| 发表于 2010-7-20 12:45:16 | 显示全部楼层
对不起,是beta。
jianjing526 ,在你采用的工艺里,mos的beta怎样?是不是比低压管的要低啊?
 楼主| 发表于 2010-7-20 12:53:08 | 显示全部楼层
还有,高压管的阈值电压也比较高,在有些情况会达到3v左右。这样在大的电源电压范围内就比较难设计电路。比如,在5v-30V的情况下。不知楼上遇到过这个问题吗?我们用的高压工艺是0.5um的。
发表于 2010-7-20 18:09:50 | 显示全部楼层
6# albert_eetop
高压的beta值一般是小于低压管的,特殊器件dmos可能除外
VCC headroom应该是够的,以一个p管差分对普通两级运放,vref=1.2V为例,VCC(min)=1.2+vgsp+vdssat,区vdssat=200mV, VCC(min)=4.6V
看你的输出电压是多少?
 楼主| 发表于 2010-7-21 11:12:25 | 显示全部楼层
谢谢楼上。虽然是够,但如果采用cascode的电流镜仍然会紧张一些。
由于beta小,输出管的尺寸会很大,比如输出电压要求是3.3v,输出电流最大50mA的情况,输出管的尺寸差不多会达到100×160um/um。这样会不会对瞬态响应和稳定性带来影响啊?设计时感觉频率补偿不好做。
 楼主| 发表于 2010-7-21 11:14:58 | 显示全部楼层
对不起,是100×160um/3um
发表于 2010-7-21 13:15:13 | 显示全部楼层
pass device尺寸大,ldo的性能恶化,这两者没有必然的联系。
建议你仔细分析spec.,选取合适的架构和补偿方式,good luck!
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