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关于ISE TCAD接触设置的问题(求解)

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发表于 2010-4-26 11:14:00 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我是新手,在ISE TCAD使用中,我画了一个简单pmos,源漏重掺杂B,源漏接触加0V时,在TECPLOT中看到源漏重掺杂区电势是-0.52V,N阱接触也是通过重掺杂,接触加0V时,N阱重掺杂区电势是0.51V。
重掺杂不是欧姆接触吗,欧姆接触就是在金属半导体表面的接触点不产生明显的电压降低,而dessis文件中,contact的default是欧姆接触。
请教一下,我在上面接触处产生的接触电势差是正确的呢,还是我设置问题,需要加barrier=XX来弥补吗?
发表于 2017-8-10 16:06:20 | 显示全部楼层
回复 1# dc508


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