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楼主: 老扁

(紧急请教)有谁熟悉artisan生成的双端口SRAM的特性?

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发表于 2008-10-18 12:58:34 | 显示全部楼层
thanks
发表于 2008-10-18 20:28:52 | 显示全部楼层
所谓双口,就是可以独立地在两个端口对不同的单元操作。
发表于 2008-10-18 22:47:55 | 显示全部楼层
不懂,帮顶了。
发表于 2008-12-11 13:11:17 | 显示全部楼层
Artisan的双端口ram是wen可以控制不同位的写。 wen=0
的位进行写,wen=1的位进行读。wen的控制位数可以选。
写的同时读的数据其实也是有效的。
另外同一个地址两个口不能同时写,但同时读是可以的。一个地址写完后,
若要马上读写这个地址的数据有timing的要求的。
发表于 2008-12-11 19:58:08 | 显示全部楼层
呵呵 这个操作我认为是可以实现的,楼主可以看下register bank的设计原理,在processor内部的register bank 就可以实现这样的操作。
发表于 2009-1-7 18:02:05 | 显示全部楼层
肯定可以。从SRAM结构来看,32位we控制不同的位,实际adr产生wordline,而we控制bitline是输入还是输出。读出需要预充,上拉pmos很小;写入需要大的驱动管驱动bitline。这样看,对相同bit同时进行读写操作,大的驱动会把同时进行预充电压拉下来,从而实现了sram的写入,所以写有效,而读出的数据经过一段时间后稳定为刚写入的数据;对同一地址的不同位同时读写,相互没有影响~
发表于 2009-4-2 01:06:55 | 显示全部楼层

剛剛看過 artisan 的 dual-port sram gds

bit cell 仍然只能存 1 bit,也就是仍然是兩個 inveter 對接,
但是pass-gate有兩組,每組各有自己的獨立 word-line與
bit-line,bitb-line,所以 對相同 縱軸的 bit cell 而言,
若是由上方 ydecoder_A 寫入 data至第一個 cell,
與由下方 ydecoder_B 讀取/寫入 data至第n個 cell,應該
不會衝突,只要不是同一個cell就好,這只是我個人的觀察,

我曾逆向工程他們的電路,發覺不會動,經修改之後才會動,
原以為抄錯了,但是以他們的 netlist run結果一致,都不會動,
我認為他們的 netlist沒有完全反映 gds的某些超長 rc delay,
或許是他們保護自己的方法.
发表于 2009-9-11 11:45:48 | 显示全部楼层
是不是可以通过wen端口是单独控制每一位的读写操作的使能控制信号
发表于 2009-9-22 23:08:03 | 显示全部楼层
可以,但是个人推荐小RAM用Artisan生成的东西,功耗和面积都超大。
发表于 2011-2-3 10:40:00 | 显示全部楼层
高深. 留座. 回来在学习
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