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阈值电压为什么会变化?

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发表于 2008-8-4 10:36:48 | 显示全部楼层 |阅读模式

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哪位大侠给解释一下,我采用spectre仿真同一个电路时为什么会出现某个mos的阈值电压在变化的情况,变化还很大,而且是我并没有改变该管子的参数,另外,阈值电压不是仅受工艺的影响吗?也就是说应该和管子的宽长没有关系吧,换句话说,只要我才用了某个foundry的model,阈值电压就不应该变了,不对吗?
恳请高手帮忙解释一下。
谢谢!
发表于 2008-8-4 18:48:22 | 显示全部楼层
我就知道源上电压要是变了的话
因为有体效应的影响阈值电压会变化
发表于 2008-8-5 23:15:27 | 显示全部楼层
一般说来是体效应引起的!
当然温度和不同的CORNER也会引起这样的问题!
最后就是短沟道效应了!
发表于 2008-8-6 19:38:37 | 显示全部楼层
我仿的时候也遇到了这个问题,如果电源改变的话,他的VT就会变,前辈说是由于衬底偏置引起的
发表于 2008-8-8 02:41:07 | 显示全部楼层
体效应 ds电压 温度 很多因素
发表于 2008-8-14 22:56:05 | 显示全部楼层
阈值电压就是在变的,不知你说的变化大到底有"多大"?

计算机仿真都是"高阶"MODEL.
发表于 2008-8-15 08:05:30 | 显示全部楼层
besides body effect, it's also relative to your bias. eg. Vds. If you sweep the Vds, Vt is actually changes with that.
I shall say that Vt is a complex function in deep sub-micro process related to a lot of variables. You may take a glance at the technology file, you may find Vt0 which is fixed and some other parameters together to produce Vt.
Also, Vt is somehow just a definition, it's not surprise Sprectre maybe gives the Vt just easy for it to simulate as long as the final results are accurate.
发表于 2008-8-22 01:08:39 | 显示全部楼层
会改变的 原因多了  体效应 热效应等 都会使阈值电压改变的
发表于 2008-8-22 10:00:07 | 显示全部楼层
建议看一些BSIM3V3模型,了解一下深亚微米MOS器件模型。

阈值电压影响因素包括:

温度
工艺掺杂
衬偏效应
短沟道效应
窄沟道效应
DIBL漏致势垒降低效应

BSIM3V3_Manu.pdf

1.12 MB, 下载次数: 389 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

BSIM4_manual.pdf

468.99 KB, 下载次数: 235 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

发表于 2010-9-9 09:50:55 | 显示全部楼层
能不能解释一下SCBE效应?
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