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[求助] 求助,TCAD sentaurus仿真TFET(隧穿管)的问题

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发表于 2019-1-5 17:23:28 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在sdevice的plot选项里只能分别看到ebarriertunneling与hbarriertunneling,请问如何才能看到电子与空穴总和在一起的图。我看到有篇文章里面的图用的是generation rate,然后我也在plot里加了eband2bandgeneration的选项,但是仿真出来确看不见任何的值,请问下大佬们有没有看电子或者是空穴的产生率的命令,我翻遍了手册只有band2band generation rate相关的看起来能看,但是我把命令打进去了却没有用,这是怎么回事呢
发表于 2019-1-19 17:29:12 | 显示全部楼层
楼主你好,最近我也在仿真TFET,但是仿真出来的特性不是很好,能交流一下吗,不知道有无pocket层的physics部分是否一样
发表于 2019-1-19 17:29:51 | 显示全部楼层
我的QQ516663237
发表于 2019-12-12 19:38:05 | 显示全部楼层
我也是TFET方向的,可以加个好友吗?
QQ:779749260
发表于 2019-12-12 19:39:00 | 显示全部楼层
我也是tfet方向的,能加个好友吗?
QQ:779749260
发表于 2020-7-21 15:55:43 | 显示全部楼层
关于TFET的仿真,完全不会调用隧穿模型。。。。。哎
发表于 2020-9-15 15:15:40 | 显示全部楼层
仿真TFET,加的模型一般是SRH章节的Band to Band Tunneling 模型,然后你再试试看吧
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