mos管vds大的时候为什么会产生bulk漏电

shine724 · 发表于 2021-9-17 14:17:37

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如题，牛人分析描述一下mos管饱和状态下，vds不断增加，bulk电流情况，可能会产生什么现象

adhylin · 发表于 2021-9-17 14:37:20

Cdb引起的漏电

xuwenwei · 发表于 2021-9-17 14:43:17

到地电阻的变化,极点的变化

wmzdtc · 发表于 2021-9-17 15:03:10

Impact ionization

shine724 · 发表于 2021-9-18 09:54:30

xuwenwei 发表于 2021-9-17 14:43
到地电阻的变化,极点的变化

是DC电流

shine724 · 发表于 2021-9-18 09:59:05

wmzdtc 发表于 2021-9-17 15:03
Impact ionization

比较认同，那是什么引起了这个现象呢，如果管子在截止区Vdb压差很高也没问题，只有在亚阈值和饱和区才会发生，是source的自由粒子进入drain的空间电荷区引起的吗
是撞击了空间电荷区的原子还是电子空穴对。

wmzdtc · 发表于 2021-9-18 13:30:03

shine724 发表于 2021-9-18 09:59
比较认同，那是什么引起了这个现象呢，如果管子在截止区Vdb压差很高也没问题，只有在亚阈值和饱和区才会 ...

你可以把它当成一种hot carrier injection，只不过是往body走，Pinch-off的部分电场最大，截止的时候没有pinch-off region。另外subthreshold的时候情况应该会好一些，只是model里不见得体现。

shine724 · 发表于 2021-9-30 13:55:09

wmzdtc 发表于 2021-9-18 13:30
你可以把它当成一种hot carrier injection，只不过是往body走，Pinch-off的部分电场最大，截止的时候没有 ...

嗯，可以这么理解

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