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[讨论] 关于power和先进工艺std cell

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发表于 2021-8-12 17:26:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请教,先进工艺:
1.std cel的面积大小更小,但是pin的数目不变?
2.std cell的lvt中的开启阈值电压也越小?为什么
3.功耗分析时,每个instance的电流模型是PWL Current Model,PWL是指?

发表于 2021-8-12 22:55:41 | 显示全部楼层
1.是的,std的cell的逻辑功能决定了它的pin的数目,所以pin数目不变。
2.开启阈值电压小,是因为它的载流子参杂浓度变高了,让电流更容易导通了,这个理解可能不太准确。
3.不懂。。。
发表于 2021-8-13 07:10:50 | 显示全部楼层
PWL - piecewise linear
 楼主| 发表于 2021-8-13 15:52:00 | 显示全部楼层


莫名晴天 发表于 2021-8-12 22:55
1.是的,std的cell的逻辑功能决定了它的pin的数目,所以pin数目不变。
2.开启阈值电压小,是因为它的载流子 ...


1.是不是先进工艺会用更多的ME层来出pin?用更多的底层ME来出pin?因为28nm,cell面积没有那么小,可以只用M2出pin,但是7nm可能用M3出pin?都是M2的pin,会有DRC
发表于 2021-8-15 22:48:12 | 显示全部楼层


xingyun666666 发表于 2021-8-13 15:52
1.是不是先进工艺会用更多的ME层来出pin?用更多的底层ME来出pin?因为28nm,cell面积没有那么小,可以只用 ...


用的还是M2和M1没见过用M3的,不过倒是听说因为先进工艺via paller的问题,有人建议对一些cell用高层出pin,但是其实没有真正用。其实先进工艺出pin没有你想的那么悲观。因为这些cell做起来高度还是分7T 9T 12T的,就这个track来说出pin其实和28nm的7T 9T没有本质的区别。

 楼主| 发表于 2021-8-16 10:14:00 | 显示全部楼层


莫名晴天 发表于 2021-8-15 22:48
用的还是M2和M1没见过用M3的,不过倒是听说因为先进工艺via paller的问题,有人建议对一些cell用高层出pi ...


有点晕,因为这些cell做起来高度还是分7T 9T 12T的,就这个track来说出pin其实和28nm的7T 9T没有本质的区别,一个cell是由晶体管组成的,cell的功能决定用几个晶体管搭建,先进工艺的cell中的晶体管尺寸变小,但是cell的大小却不变?

发表于 2021-8-17 08:43:50 | 显示全部楼层


xingyun666666 发表于 2021-8-16 10:14
有点晕,因为这些cell做起来高度还是分7T 9T 12T的,就这个track来说出pin其实和28nm的7T 9T没有本质的区 ...


cell变小了,但是线宽也变小了啊,尽管其实这个尺寸不是等比例缩小的。底层线缩的挺小的,但是稍微高层的就比较宽了,所以整体的绕线资源其实是变小的。
所以先进工艺一般利用率都比较低。
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