晶体管total width不变，改变finger数，跨导变化的原因

April1999 · 发表于 2021-4-9 12:34:32

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一个反相器，NMOS管total width为20um，长度为60nm。finger数为1的时候跨导是6.17，finger数是10的时候，跨导是8.11。想知道，为什么finger数改变，跨导差的这么多。

潘包子铺 · 发表于 2021-4-9 15:21:28

你这个反相器宽长比好大，会不会是因为finger数多了会有宽长调制效应引起Vth改变，所以跨导也会改变？我的想法是这样，看看高人解答哈哈

david_reg · 发表于 2021-4-9 16:42:13

对于60nm的先进工艺MOS通常采用BSIM4模型, 由于layout dependent效应, total w一样, 但finger w不同的管子的I-V特性会有一些差异. 或许和这个原因有关.

April1999 · 发表于 2021-4-9 16:57:07

感谢回复！

luojh19960316 · 发表于 2021-4-9 16:58:30

从layout角度来看的话，增加finger数量，保持width不变，可以减少其diffusion oeriphery面积，扩散面积减小，那么相对而言单位面积的扩散能力就会得到增强（当然这是在控制变量的情况下，个人见解，欢迎各位大佬指正）

andyfan · 发表于 2021-4-9 23:03:56

LOD效应，finger数为10得时候，有缘区大，中间的finger和边缘的finger，受到的应力不一样，迁移率和finger为1的时候是不一样的，器件特性也不一样。
如果不更改finger，单纯的20/0.06和2/0.06 M=20，应该差异小很多。

bo_feng · 发表于 2021-4-10 17:33:34

楼上说的有道理。

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