如何仿真处于线性区的 LDO功率管 导通电阻

染纱

如图PMOS的LDO，当VIN比设置的VOUT小时，PMOS会处于线性区，此时Vout=Vin-Io*Ron， 我对这个dropout电压很在意，请问怎么比较准确的仿真这个导通电阻呢？

我目前的仿真方法（一）是:由于处于线性区，导通电阻和Vds成一阶线性关系，所以除法和求一阶偏导的值一样，我直接用仿真交流阻抗的方式，给一个固定的栅偏压，漏端给 个一个单位的ac电流源，直接看他的交流电压即是它的交流阻抗，也就是此处的导通阻抗。。。这里的问题是首先PMOS的栅压是大概给的，负载变化，栅压是变化的，其次Vds也是变化的，导致线性电阻公式误差变大；方法二是直接仿真全负载的输出电压，

请问大家怎么看待这个问题？有什么好方法？

xuwenwei

染纱 发表于 2021-4-1 10:19
可以，我方法二就是这个意思，但是负载电流不一样，导通电阻还是稍微有点变化的。。你认为应该测多大电流 ...

导通电阻随着负载电流的变化而变化是正常的吧，导通电阻这个参数有什么含义吗？看这个是为了看压降还是看功耗？

Huangshu

Dropout 电压应该是看直流阻抗吧。
仿真的话，因为EA增益很高，所以在VIN<VOUT_set 的时候，EA输出就是0，所以仿阻抗就直接把这个管子栅接地，源极加电压，漏极抽电流看压差就行。可以把源极电压和负载电流都扫一下。初学者的看法，请大佬指正。

刘兴国

顺便请教一个问题，打印DC工作点的时候，里边的Ron是导通电阻吗？

xuwenwei

阻抗可不可以直接用电压/电流来直接measure出来呢

染纱

刘兴国 发表于 2021-3-31 19:09
顺便请教一个问题，打印DC工作点的时候，里边的Ron是导通电阻吗？

Ron是直流阻抗，小信号交流阻抗看gds，ro=1/gds

染纱

xuwenwei 发表于 2021-4-1 08:59
阻抗可不可以直接用电压/电流来直接measure出来呢

可以，我方法二就是这个意思，但是负载电流不一样，导通电阻还是稍微有点变化的。。你认为应该测多大电流时的电阻呢？假设负载能力0—100mA。

染纱

Huangshu 发表于 2021-3-31 17:28
Dropout 电压应该是看直流阻抗吧。
仿真的话，因为EA增益很高，所以在VIN

我不是大佬。。。大佬不会问这么低级的问题。我觉得你说的没啥问题，要注意的是，真实工作情况下，负载电流和栅压是有对应关系的。你两个一起扫描，哪些结果是真的呢。

染纱

xuwenwei 发表于 2021-4-1 13:44
导通电阻随着负载电流的变化而变化是正常的吧，导通电阻这个参数有什么含义吗？看这个是为了看压降还是看 ...

主要是压降。。被你这么一问，突然想通了，其实只要仿真全温工艺角最大负载电流时的输出电压就行。之前太纠结于导通电阻这个参数了。。忽略了我真正需要的是什么。。

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:)