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[求助] LOCOS工艺隔离的是什么东西

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发表于 2021-2-23 15:58:39 | 显示全部楼层 |阅读模式
63资产
在看LOCOS隔离工艺的时候我发现,厚氧层其实不算深,不说阱就连重掺杂的深度也没达到。那么LOCOS隔离的是哪些层次?如果LOCOS只是划分源区,为什么不直接用光刻胶完成源区的划分?N阱与P阱形成反偏PN结只有很小的漏电流,那么LOCOS存在的意义在哪?

 楼主| 发表于 2021-2-23 19:33:29 | 显示全部楼层
查了天资料自己认为是解决了,LOCOS是建立在PN结隔离的基础上的。PN结隔离面临着表面硅损伤隔离效果不如底部的窘境,于是有大佬尝试在表面添加氧化物,然后发现隔离效果确实有所改善。所以LOCOS工艺可以说是“PN结隔离的升级版”,其表面使用氧化物进行隔离,而底部的隔离原理还是PN结反偏(与PN结隔离一致)。
发表于 2021-2-25 17:41:37 | 显示全部楼层
现在应该没有LOCOS了吧 都是sti 。LOCOS有鸟嘴。
发表于 2021-2-28 17:11:33 | 显示全部楼层
质疑精神值得学习。加深了印象。
发表于 2021-10-10 11:44:20 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2021-10-10 14:07:58 | 显示全部楼层
学习了
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